|   Première page   |   Tous les fabricants   |   Par fonction   |  

Le numéro de la pièce, la description ou le fabricant des:
Saut rapide à:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Feuilles de datas trouvées :: 1351360Page: << | 29525 | 29526 | 29527 | 29528 | 29529 | 29530 | 29531 | 29532 | 29533 | 29534 | 29535 | >>
Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
1181161STX-PRO/RAISOutil de débogage / programmation illimitée en circuit pour STM32, STR7 et STR9ST Microelectronics
1181162STX-RLINKEn-circuit débogueur / programmeur pour STM8, ST7, STM32, STR7 et microcontrôleurs STR9ST Microelectronics
1181163STX0560Haute tension à commutation rapide transistor de puissance NPNST Microelectronics
1181164STX112TRANSISTOR DE LA PUISSANCE DARLINGTON DU SILICIUM NPNST Microelectronics
1181165STX112TRANSISTOR DE LA PUISSANCE DARLINGTON DU SILICIUM NPNSGS Thomson Microelectronics
1181166STX112-APTRANSISTOR DE LA PUISSANCE DARLINGTON DU SILICIUM NPNST Microelectronics
1181167STX112-APTRANSISTOR DE LA PUISSANCE DARLINGTON DU SILICIUM NPNST Microelectronics
1181168STX117Transistors Darlington de puissance complémentaireST Microelectronics
1181169STX117-APTransistors Darlington de puissance complémentaireST Microelectronics
1181170STX13003TRANSISTOR de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Rapide-commutation NPNST Microelectronics
1181171STX13003TRANSISTOR de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Rapide-commutation NPNSGS Thomson Microelectronics
1181172STX13003-APHaute tension à commutation rapide transistor de puissance NPNST Microelectronics
1181173STX13005TRANSISTOR de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Rapide-commutation NPNST Microelectronics
1181174STX13005HAUTE TENSION à commutation rapide NPN TRANSISTOR DE PUISSANCESGS Thomson Microelectronics
1181175STX13005-APTRANSISTOR de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Rapide-commutation NPNST Microelectronics
1181176STX13005-APHAUTE TENSION à commutation rapide NPN TRANSISTOR DE PUISSANCESGS Thomson Microelectronics
1181177STX616Haute tension transistor de puissance NPNST Microelectronics
1181178STX616-APHaute tension transistor de puissance NPNST Microelectronics
1181179STX715TRANSISTOR DE PUISSANCE MOYEN DE NPNST Microelectronics



1181180STX715TRANSISTOR DE PUISSANCE MOYEN DE NPNSGS Thomson Microelectronics
1181181STX790ATRANSISTOR COURANT MOYEN DE LA BASSE TENSION PNP DE RENDEMENT ÉLEVÉST Microelectronics
1181182STX817TRANSISTOR DE PUISSANCE MOYEN DE PNPST Microelectronics
1181183STX817TRANSISTOR DE PUISSANCE MOYEN DE PNPSGS Thomson Microelectronics
1181184STX83003TRANSISTOR de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Rapide-commutation NPNST Microelectronics
1181185STX83003HAUTE TENSION à commutation rapide NPN TRANSISTOR DE PUISSANCESGS Thomson Microelectronics
1181186STX93003TRANSISTOR de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Rapide-commutation PNPST Microelectronics
1181187STX93003HAUTE TENSION à commutation rapide PNP TRANSISTOR DE PUISSANCESGS Thomson Microelectronics
1181188STX93003-APHAUTE TENSION à commutation rapide PNP TRANSISTOR DE PUISSANCEST Microelectronics
1181189STXF-INDART/USBDébogage in-situ et in-circuit outils de programmation pour les microcontrôleursST Microelectronics
1181190STY100NM60NN-canal 600 V, 0,025 Ohm typ., 98 A, MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans le paquet Max247ST Microelectronics
1181191STY100NS20FDTransistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE de l'cOhm 100A ISOTOP Du N-canal 200V 0,022ST Microelectronics
1181192STY100NS20FDTransistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE de l'cOhm 100A ISOTOP Du N-canal 200V 0,022SGS Thomson Microelectronics
1181193STY105NM50NN-canal 500 V, 0,018 Ohm typ., 110 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans le paquet Max247ST Microelectronics
1181194STY112N65M5N-canal 650 V, 0,019 Ohm, 96 A, MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans Max247ST Microelectronics
1181195STY130NF20DN-canal 200 V, 0,01 Ohm typ., 130 A, STripFET (TM) II avec la récupération rapide diode MOSFET de puissance dans le paquet Max247ST Microelectronics
1181196STY139N65M5N-canal 650 V, 0,014 Ohm typ., 130 A, MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans le paquet Max247ST Microelectronics
1181197STY140NS10N-canal 100V - 0,009 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE de RECOUVREMENT de MAILLE De 140A MAX247ST Microelectronics
1181198STY140NS10N-canal 100V - 0,009 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE de RECOUVREMENT de MAILLE De 140A MAX247SGS Thomson Microelectronics
1181199STY145N65M5N-canal 650 V, 0,012 Ohm typ., 138 A, MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans le paquet Max247ST Microelectronics
1181200STY15NA100N-canal 1000V - 0,65 OHMS - 1Ä - MAX247ST Microelectronics
Feuilles de datas trouvées :: 1351360Page: << | 29525 | 29526 | 29527 | 29528 | 29529 | 29530 | 29531 | 29532 | 29533 | 29534 | 29535 | >>
English Version for this page Deutsche Version für diese Seite Versión española para esta página Versione italiana Versão portuguese para esta página Russian version Versiunea romaneasca



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com