| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 249841 | BC308BU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249842 | BC308C | Amplificateur Transistors(PNP) | Motorola |
| 249843 | BC308C | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249844 | BC308C | Silicium De Transistors(PNP D'Amplificateur) | ON Semiconductor |
| 249845 | BC308CBU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249846 | BC308TA | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249847 | BC308TAR | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249848 | BC309 | Applications de commutation et d'amplificateur | Fairchild Semiconductor |
| 249849 | BC309 | Transistor Tout usage | Korea Electronics (KEC) |
| 249850 | BC309 | Mocy de ma³ej de czêstotliwo¶ci de ma³ej de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 249851 | BC309 | TRANSISTORS ÉPITAXIAUX PLANAIRES DE SILICIUM DE PNP | Micro Electronics |
| 249852 | BC309 | Transistor. les applications de commutation et d'amplification. Tension collecteur-base VCBO = -30V. Tension collecteur-émetteur VCEO = -25V. Tension émetteur-base Vebo = 5V. Collector dissipation Pc (max) = 500 mW. Courant de collecteur | USHA India LTD |
| 249853 | BC309A | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249854 | BC309A | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249855 | BC309A | 0.350W usage général PNP Transistor plastique plomb. 25V VCEO, 0.100A Ic, 120-220 hFE | Continental Device India Limited |
| 249856 | BC309ABU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249857 | BC309ATA | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249858 | BC309B | Amplificateur Transistors(PNP) | Motorola |
| 249859 | BC309B | 0.350W usage général PNP Transistor plastique plomb. 25V VCEO, 0.100A Ic, 200-460 hFE | Continental Device India Limited |
| 249860 | BC309BBU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249861 | BC309BTA | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249862 | BC309C | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249863 | BC309C | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249864 | BC309C | 0.350W usage général PNP Transistor plastique plomb. 25V VCEO, 0.100A Ic, 420-800 hFE | Continental Device India Limited |
| 249865 | BC309CBU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249866 | BC313 | Mocy krzemowy de ¶redniej de Tranzystor, czêstotliwo¶ci de ma³ej | Ultra CEMI |
| 249867 | BC313 | Mocy de ma³ej de czêstotliwo¶ci de ma³ej de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 249868 | BC317 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL PLANAIRE DE SILICIUM DE NPN | Micro Electronics |
| 249869 | BC317 | 0.350W usage général NPN Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 0.150A Ic, 110-450 hFE | Continental Device India Limited |
| 249870 | BC317A | 0.350W usage général NPN Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 0.150A Ic, 110 - 220 hFE | Continental Device India Limited |
| 249871 | BC317B | 0.350W usage général NPN Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 0.150A Ic, 200-450 hFE | Continental Device India Limited |
| 249872 | BC318 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL PLANAIRE DE SILICIUM DE NPN | Micro Electronics |
| 249873 | BC319 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL PLANAIRE DE SILICIUM DE NPN | Micro Electronics |
| 249874 | BC320 | TRANSISTORS ÉPITAXIAUX PLANAIRES DE SILICIUM DE PNP | Micro Electronics |
| 249875 | BC3200 | Redresseurs De Silicium-Pont | Diotec Elektronische |
| 249876 | BC321 | TRANSISTORS ÉPITAXIAUX PLANAIRES DE SILICIUM DE PNP | Micro Electronics |
| 249877 | BC322 | TRANSISTORS ÉPITAXIAUX PLANAIRES DE SILICIUM DE PNP | Micro Electronics |
| 249878 | BC327 | Transistor d'usage universel de PNP | Philips |
| 249879 | BC327 | Applications de commutation et d'amplificateur | Fairchild Semiconductor |
| 249880 | BC327 | Transistor Tout usage | Korea Electronics (KEC) |
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