| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 250721 | BC557C | PlanarTransistors Silicium-Épitaxial | Diotec Elektronische |
| 250722 | BC557C | 0.500W usage général PNP Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 0.100A Ic, 420-800 hFE | Continental Device India Limited |
| 250723 | BC557C | Petits signaux Transistor (PNP) | General Semiconductor |
| 250724 | BC557CZL1 | Transistors D'Amplificateur | ON Semiconductor |
| 250725 | BC557TA | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250726 | BC557TAR | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250727 | BC557TF | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250728 | BC557TFR | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250729 | BC557VI | 50 V, 100 mA, le transistor de silicium PNP | Siemens |
| 250730 | BC557ZL1 | Transistors D'Amplificateur | ON Semiconductor |
| 250731 | BC557ZL1 | Transistors D'Amplificateur | ON Semiconductor |
| 250732 | BC557_J05Z | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250733 | BC558 | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250734 | BC558 | Transistor Tout usage | Korea Electronics (KEC) |
| 250735 | BC558 | Petits Transistors De Signal (PNP) | Vishay |
| 250736 | BC558 | Petits Transistors De Signal (PNP) | General Semiconductor |
| 250737 | BC558 | TRANSISTORS DE SIGNAL D'CAf DE SILICIUM DE PNP PETITS | Micro Electronics |
| 250738 | BC558 | TRANSISTORS ÉPITAXIAUX PLANAIRES DE SILICIUM DE PNP | Boca Semiconductor Corporation |
| 250739 | BC558 | Transistors d'usage universel de PNP | Philips |
| 250740 | BC558 | Transistor 625mW D'Amplificateur De Silicium de PNP | Micro Commercial Components |
| 250741 | BC558 | PlanarTransistors Silicium-Épitaxial | Diotec Elektronische |
| 250742 | BC558 | Transistor planaire épitaxial de silicium de PNP pour la commutation et les applications d'cAf | Semtech |
| 250743 | BC558 | 0.500W usage général PNP Transistor plastique plomb. 30V VCEO, 0.100A Ic, 75-800 hFE | Continental Device India Limited |
| 250744 | BC558 | 30 V, 100 mA, le transistor PNP de silicium | Siemens |
| 250745 | BC558 | Transistor. Commutation et amplificateur AF. Haute tension. Faible niveau de bruit. VCBO = -30V, VCEO = -30V, Vebo = 5V, Pc = 500 mW, Ic = -100mA. | USHA India LTD |
| 250746 | BC558A | Transistors, & de Rf; Af | Vishay |
| 250747 | BC558A | PlanarTransistors Silicium-Épitaxial | Diotec Elektronische |
| 250748 | BC558A | 30 V, le silicium PNP transistor planaire épitaxiale | Boca Semiconductor Corporation |
| 250749 | BC558A | 0.500W usage général PNP Transistor plastique plomb. 30V VCEO, 0.100A Ic, 110 - 220 hFE | Continental Device India Limited |
| 250750 | BC558A | Petits signaux Transistor (PNP) | General Semiconductor |
| 250751 | BC558A | 30 V, 100 mA, le transistor PNP de silicium | Siemens |
| 250752 | BC558ABU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250753 | BC558ATA | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250754 | BC558B | Transistors D'Amplificateur | Motorola |
| 250755 | BC558B | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250756 | BC558B | Transistors D'Amplificateur | ON Semiconductor |
| 250757 | BC558B | Transistors, & de Rf; Af | Vishay |
| 250758 | BC558B | PlanarTransistors Silicium-Épitaxial | Diotec Elektronische |
| 250759 | BC558B | 30 V, le silicium PNP transistor planaire épitaxiale | Boca Semiconductor Corporation |
| 250760 | BC558B | 0.500W usage général PNP Transistor plastique plomb. 30V VCEO, 0.100A Ic, 200-450 hFE | Continental Device India Limited |
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