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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
251841BC847CWTransistors Tout usageON Semiconductor
251842BC847CWBâti extérieur PlanarTransistors Silicium-ÉpitaxialDiotec Elektronische
251843BC847CW45 V, 100 mA NPN transistors à usage généralNXP Semiconductors
251844BC847CWTransistor NPN à des fins générales et les applications de commutationKorea Electronics (KEC)
251845BC847CW-13-FTransistors bipolairesDiodes
251846BC847CW-7-FTransistors bipolairesDiodes
251847BC847CW-GPetits signaux Transistor, V CBO = 50V, V PDG = 45V, V EBO = 6V, je C = 0.1AComchip Technology
251848BC847CWT1Silicium Tout usage De Transistors(NPN)Leshan Radio Company
251849BC847CWT1L'CAffaire 419-02, DÉNOMMENT 3 SOT-323/sc-70Motorola
251850BC847CWT1Transistors Tout usageON Semiconductor
251851BC847DS45 V, 100 mA NPN / NPN transistor à usage généralNXP Semiconductors
251852BC847FTransistor de silicium de NPN (application tout usage de commutation d'application)AUK Corp
251853BC847FTransistors d'usage universel de NPNPhilips
251854BC847MTransistors d'usage universel de NPNPhilips
251855BC847MTransistors d'usage universel de NPNPhilips
251856BC847PNTransistors BipolairesDiodes
251857BC847PNTransistors Tout usage - Rangée De Transistor d'Af De Silicium de NPN/pnpInfineon
251858BC847PNRangée de transistor d'cAf de silicium de NPN/pnp (pour des étapes d'entrée d'cAf et tension élevée de saturation de collecteur-émetteur de gain courant d'applications de conducteur la basse)Siemens
251859BC847PN-13-FTransistors bipolairesDiodes



251860BC847PN-7PETIT TRANSISTOR DE BÂTI DE SURFACE DE SIGNAL DE PAIRE COMPLÉMENTAIREDiodes
251861BC847PN-7-FTransistors bipolairesDiodes
251862BC847QAPN45 V, 100 mA NPN / PNP transistor à usage généralNXP Semiconductors
251863BC847SAmplificateur D'Usage universel De Multi-Morceau de NPNFairchild Semiconductor
251864BC847STransistors tout usage - la rangée de transistor d'cAf de silicium de NPN pour l'cAf a entré des étapes et des conducteursInfineon
251865BC847SRangée de transistor d'cAf de silicium de NPN (pour des étapes d'entrée d'cAf et le gain courant élevé d'applications de conducteur)Siemens
251866BC847SBâti extérieur PlanarTransistors Silicium-ÉpitaxialDiotec Elektronische
251867BC847TTransistors d'usage universel de NPNPhilips
251868BC847T45 V, 100 mA NPN transistors à usage généralNXP Semiconductors
251869BC847UTransistor de silicium de NPN (application tout usage de commutation d'application)AUK Corp
251870BC847UFTransistor de silicium de NPN (application tout usage de commutation d'application)AUK Corp
251871BC847WTransistors d'usage universel de NPNPhilips
251872BC847WTransistors d'usage universel de NPNPhilips
251873BC847WTransistor Tout usageKorea Electronics (KEC)
251874BC847WBâti extérieur PlanarTransistors Silicium-ÉpitaxialDiotec Elektronische
251875BC847W45 V, 100 mA NPN transistors à usage généralNXP Semiconductors
251876BC847WPNP Silicon AF TransistorsInfineon
251877BC848Transistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
251878BC848Transistor Tout usageKorea Electronics (KEC)
251879BC848Petits Transistors De Signal (NPN)Vishay
251880BC848TRANSISTORS TOUT USAGE PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 NPNZetex Semiconductors
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