| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 251881 | BC848 | Transistor de silicium de NPN (application tout usage de commutation d'application) | AUK Corp |
| 251882 | BC848 | Bâti extérieur PlanarTransistors Silicium-Épitaxial | Diotec Elektronische |
| 251883 | BC848 | 0.250W usage général NPN SMD transistor. 30V VCEO, 0.100A Ic, 110-800 hFE. BC858 complémentaire | Continental Device India Limited |
| 251884 | BC848 | PNP Silicon AF Transistors | Infineon |
| 251885 | BC848A | TRANSISTORS TOUT USAGE PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 251886 | BC848A | Transistors Bipolaires | Diodes |
| 251887 | BC848A | Petits Transistors De Signal (NPN) | General Semiconductor |
| 251888 | BC848A | Transistors tout usage - paquet SOT23 | Infineon |
| 251889 | BC848A | SILICIUM DE L'CUsage UNIVERSEL TRANSISITOR NPN | Zowie Technology Corporation |
| 251890 | BC848A | Transistors d'cAf de silicium de NPN (pour des étapes d'entrée d'cAf et le gain courant élevé d'applications de conducteur) | Siemens |
| 251891 | BC848A | Petit Transistor 310mW De Signal de NPN | Micro Commercial Components |
| 251892 | BC848A | Petit Usage universel Amplifier/Switch Du Transistor NPN De Signal de SMD | Central Semiconductor |
| 251893 | BC848A | Transistors, & de Rf; Af | Vishay |
| 251894 | BC848A | Bâti extérieur PlanarTransistors Silicium-Épitaxial | Diotec Elektronische |
| 251895 | BC848A | 0.250W usage général NPN SMD transistor. 30V VCEO, 0.100A Ic, 110 - 220 hFE. BC858A complémentaire | Continental Device India Limited |
| 251896 | BC848A | HFE min 110 NF max. 10 dB transistor NPN polarité Courant, Ic continu max 100 mA Tension VCEO 30 V Courant, Ic (HFE) 2 mA Puissance Ptot 350 mW | Fairchild Semiconductor |
| 251897 | BC848A | Transistor NPN à des fins générales et les applications de commutation | Korea Electronics (KEC) |
| 251898 | BC848A | Ic = 100mA, Vce = transistor de 5.0V | MCC |
| 251899 | BC848A | 30 V, NPN surface de montage petit transistor de signal | TRANSYS Electronics Limited |
| 251900 | BC848A | 30 V, NPN surface de montage petit transistor de signal | TRSYS |
| 251901 | BC848A(Z) | SOT23 NPN SILICON PLANAR GÉNÉRALES TRANSISTORS DE BUT | Diodes |
| 251902 | BC848A-1JZ | TRANSISTORS TOUT USAGE PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 NPN | Unknow |
| 251903 | BC848A-1JZ | SILICIUM DE SOT23 NPN PLANAIRE | Zetex Semiconductors |
| 251904 | BC848A-1JZ | TRANSISTORS TOUT USAGE PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 NPN | Unknow |
| 251905 | BC848A-1JZ | TRANSISTORS TOUT USAGE PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 NPN | Unknow |
| 251906 | BC848A-1JZ | SILICIUM DE SOT23 NPN PLANAIRE | Zetex Semiconductors |
| 251907 | BC848A-1JZ | TRANSISTORS TOUT USAGE PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 NPN | Unknow |
| 251908 | BC848A-7-F | Transistors bipolaires | Diodes |
| 251909 | BC848A-G | Petits signaux Transistor, V CBO = 30V, V PDG = 30V, V EBO = 6V, je C = 0.1A | Comchip Technology |
| 251910 | BC848AF | Transistors d'usage universel de NPN | Philips |
| 251911 | BC848AL | Transistor Tout usage NPN | ON Semiconductor |
| 251912 | BC848ALT1 | Silicium Tout usage De Transistors(NPN) | Leshan Radio Company |
| 251913 | BC848ALT1 | L'CAffaire 318-08, DÉNOMMENT 6 SOT-23 (TO-23ãb) | Motorola |
| 251914 | BC848ALT1 | Transistor Tout usage NPN | ON Semiconductor |
| 251915 | BC848ALT1G | Silicium Tout usage De Transistors(NPN) | ON Semiconductor |
| 251916 | BC848ALT1G | Silicium Tout usage De Transistors(NPN) | ON Semiconductor |
| 251917 | BC848AMTF | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 251918 | BC848AT | Transistors d'Af De Silicium de NPN | Infineon |
| 251919 | BC848AW | Transistors Bipolaires | Diodes |
| 251920 | BC848AW | Transistors tout usage - paquet SOT323 | Infineon |
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