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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
252001BC848C-7-FTransistors bipolairesDiodes
252002BC848C-GPetits signaux Transistor, V CBO = 30V, V PDG = 30V, V EBO = 6V, je C = 0.1AComchip Technology
252003BC848C-MRQuantité bobine 500 Largeur de bande 8 mm SOT-23 TransistorsFairchild Semiconductor
252004BC848C-Z1LTRANSISTORS TOUT USAGE PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 NPNUnknow
252005BC848C-Z1LSILICIUM DE SOT23 NPN PLANAIREZetex Semiconductors
252006BC848C-Z1LTRANSISTORS TOUT USAGE PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 NPNUnknow
252007BC848C-Z1LTRANSISTORS TOUT USAGE PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 NPNUnknow
252008BC848C-Z1LSILICIUM DE SOT23 NPN PLANAIREZetex Semiconductors
252009BC848C-Z1LTRANSISTORS TOUT USAGE PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 NPNUnknow
252010BC848CDW1Transistors Tout usage DuelsON Semiconductor
252011BC848CDW1T1Transistors Tout usage DuelsON Semiconductor
252012BC848CDW1T130 V, double transistor à usage généralLeshan Radio Company
252013BC848CDXV6Transistor Tout usage de NPNON Semiconductor
252014BC848CDXV6T1Transistor Tout usage de NPNON Semiconductor
252015BC848CDXV6T5Transistor Tout usage de NPNON Semiconductor
252016BC848CFTransistors d'usage universel de NPNPhilips
252017BC848CLTransistor SSP NPNON Semiconductor
252018BC848CLT1Silicium Tout usage De Transistors(NPN)Leshan Radio Company
252019BC848CLT1L'CAffaire 318-08, DÉNOMMENT 6 SOT-23 (TO-23ãb)Motorola



252020BC848CLT1Transistor SSP NPNON Semiconductor
252021BC848CLT1GSilicium Tout usage De Transistors(NPN)ON Semiconductor
252022BC848CLT1GSilicium Tout usage De Transistors(NPN)ON Semiconductor
252023BC848CLT3Transistor à usage général NPNON Semiconductor
252024BC848CMTFTransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
252025BC848CPDW1T1L'Usage universel Duel Transistors(NPN/PNP Conjugue)ON Semiconductor
252026BC848CPDW1T1L'Usage universel Duel Transistors(NPN/PNP Conjugue)ON Semiconductor
252027BC848CQ-7-FTransistors bipolairesDiodes
252028BC848CTTransistors d'Af De Silicium de NPNInfineon
252029BC848CTTransistor NPN petit signal EN SOT23Diodes
252030BC848CWTransistors BipolairesDiodes
252031BC848CWTransistors tout usage - paquet SOT323Infineon
252032BC848CWTransistor d'cAf de silicium de NPN (pour des étapes d'entrée d'cAf et tension élevée de saturation de collecteur-émetteur de gain courant d'applications de conducteur la basse)Siemens
252033BC848CWTransistors Tout usageON Semiconductor
252034BC848CWPlanarTransistors montage Si épitaxiale de surfaceDiotec Elektronische
252035BC848CWTransistor NPN à des fins générales et les applications de commutationKorea Electronics (KEC)
252036BC848CW-7-FTransistors bipolairesDiodes
252037BC848CW-GPetits signaux Transistor, V CBO = 30V, V PDG = 30V, V EBO = 5V, je C = 0.1AComchip Technology
252038BC848CWT1Silicium Tout usage De Transistors(NPN)Leshan Radio Company
252039BC848CWT1L'CAffaire 419-02, DÉNOMMENT 3 SOT-323/sc-70Motorola
252040BC848CWT1Transistors Tout usageON Semiconductor
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