Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
252001 | BC848C-7-F | Transistors bipolaires | Diodes |
252002 | BC848C-G | Petits signaux Transistor, V CBO = 30V, V PDG = 30V, V EBO = 6V, je C = 0.1A | Comchip Technology |
252003 | BC848C-MR | Quantité bobine 500 Largeur de bande 8 mm SOT-23 Transistors | Fairchild Semiconductor |
252004 | BC848C-Z1L | TRANSISTORS TOUT USAGE PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 NPN | Unknow |
252005 | BC848C-Z1L | SILICIUM DE SOT23 NPN PLANAIRE | Zetex Semiconductors |
252006 | BC848C-Z1L | TRANSISTORS TOUT USAGE PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 NPN | Unknow |
252007 | BC848C-Z1L | TRANSISTORS TOUT USAGE PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 NPN | Unknow |
252008 | BC848C-Z1L | SILICIUM DE SOT23 NPN PLANAIRE | Zetex Semiconductors |
252009 | BC848C-Z1L | TRANSISTORS TOUT USAGE PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 NPN | Unknow |
252010 | BC848CDW1 | Transistors Tout usage Duels | ON Semiconductor |
252011 | BC848CDW1T1 | Transistors Tout usage Duels | ON Semiconductor |
252012 | BC848CDW1T1 | 30 V, double transistor à usage général | Leshan Radio Company |
252013 | BC848CDXV6 | Transistor Tout usage de NPN | ON Semiconductor |
252014 | BC848CDXV6T1 | Transistor Tout usage de NPN | ON Semiconductor |
252015 | BC848CDXV6T5 | Transistor Tout usage de NPN | ON Semiconductor |
252016 | BC848CF | Transistors d'usage universel de NPN | Philips |
252017 | BC848CL | Transistor SSP NPN | ON Semiconductor |
252018 | BC848CLT1 | Silicium Tout usage De Transistors(NPN) | Leshan Radio Company |
252019 | BC848CLT1 | L'CAffaire 318-08, DÉNOMMENT 6 SOT-23 (TO-23ãb) | Motorola |
252020 | BC848CLT1 | Transistor SSP NPN | ON Semiconductor |
252021 | BC848CLT1G | Silicium Tout usage De Transistors(NPN) | ON Semiconductor |
252022 | BC848CLT1G | Silicium Tout usage De Transistors(NPN) | ON Semiconductor |
252023 | BC848CLT3 | Transistor à usage général NPN | ON Semiconductor |
252024 | BC848CMTF | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
252025 | BC848CPDW1T1 | L'Usage universel Duel Transistors(NPN/PNP Conjugue) | ON Semiconductor |
252026 | BC848CPDW1T1 | L'Usage universel Duel Transistors(NPN/PNP Conjugue) | ON Semiconductor |
252027 | BC848CQ-7-F | Transistors bipolaires | Diodes |
252028 | BC848CT | Transistors d'Af De Silicium de NPN | Infineon |
252029 | BC848CT | Transistor NPN petit signal EN SOT23 | Diodes |
252030 | BC848CW | Transistors Bipolaires | Diodes |
252031 | BC848CW | Transistors tout usage - paquet SOT323 | Infineon |
252032 | BC848CW | Transistor d'cAf de silicium de NPN (pour des étapes d'entrée d'cAf et tension élevée de saturation de collecteur-émetteur de gain courant d'applications de conducteur la basse) | Siemens |
252033 | BC848CW | Transistors Tout usage | ON Semiconductor |
252034 | BC848CW | PlanarTransistors montage Si épitaxiale de surface | Diotec Elektronische |
252035 | BC848CW | Transistor NPN à des fins générales et les applications de commutation | Korea Electronics (KEC) |
252036 | BC848CW-7-F | Transistors bipolaires | Diodes |
252037 | BC848CW-G | Petits signaux Transistor, V CBO = 30V, V PDG = 30V, V EBO = 5V, je C = 0.1A | Comchip Technology |
252038 | BC848CWT1 | Silicium Tout usage De Transistors(NPN) | Leshan Radio Company |
252039 | BC848CWT1 | L'CAffaire 419-02, DÉNOMMENT 3 SOT-323/sc-70 | Motorola |
252040 | BC848CWT1 | Transistors Tout usage | ON Semiconductor |
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