| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 252241 | BC856AT | Transistors d'usage universel de PNP | Philips |
| 252242 | BC856AT | Transistors d'usage universel de PNP | Philips |
| 252243 | BC856AT | Petit Usage universel Amplifier/Switch Du Transistor PNP De Signal de SMD | Central Semiconductor |
| 252244 | BC856AT | Transistor d'Af De Silicium de PNP | Infineon |
| 252245 | BC856AT | PNP transistors à usage général | NXP Semiconductors |
| 252246 | BC856AW | Transistors d'usage universel de PNP | Philips |
| 252247 | BC856AW | Transistors d'usage universel de PNP | Philips |
| 252248 | BC856AW | Transistors Bipolaires | Diodes |
| 252249 | BC856AW | Transistors tout usage - paquet SOT323 | Infineon |
| 252250 | BC856AW | Des transistors d'cAf de silicium de PNP pour (des étapes d'entrée d'cAf et tension élevée de saturation de collecteur-émetteur de gain courant d'applications de conducteur basse) | Siemens |
| 252251 | BC856AW | Bâti extérieur PlanarTransistors Silicium-Épitaxial | Diotec Elektronische |
| 252252 | BC856AW | PNP transistors à usage général | NXP Semiconductors |
| 252253 | BC856AW | Transistor PNP pour usage général et applications de commutation | Korea Electronics (KEC) |
| 252254 | BC856AW-7 | TRANSISTOR DE SIGNAL DE BÂTI DE SURFACE DE PNP PETIT | Diodes |
| 252255 | BC856AW-7-F | Transistors bipolaires | Diodes |
| 252256 | BC856AW-G | Petits signaux Transistor, V CBO = -80V, V PDG = -65V, V EBO = 5V, je C = -0.1A | Comchip Technology |
| 252257 | BC856AWT1 | Silicium Tout usage De Transistors(PNP) | Leshan Radio Company |
| 252258 | BC856AWT1 | L'CAffaire 419-02, DÉNOMMENT 3 SOT-323/sc-70 | Motorola |
| 252259 | BC856AWT1-D | Silicium Tout usage Des Transistors PNP | ON Semiconductor |
| 252260 | BC856B | Transistors d'usage universel de NPN | Philips |
| 252261 | BC856B | Transistors d'usage universel de NPN | Philips |
| 252262 | BC856B | TRANSISTORS TOUT USAGE PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252263 | BC856B | Transistors Bipolaires | Diodes |
| 252264 | BC856B | Petits Transistors De Signal (PNP) | General Semiconductor |
| 252265 | BC856B | Transistors tout usage - paquet SOT23 | Infineon |
| 252266 | BC856B | Des transistors d'cAf de silicium de PNP pour (des étapes d'entrée d'cAf et tension élevée de saturation de collecteur-émetteur de gain courant d'applications de conducteur basse) | Siemens |
| 252267 | BC856B | Petit Transistor 310mW De Signal de PNP | Micro Commercial Components |
| 252268 | BC856B | Petit Bruit Du Transistor PNP De Signal de SMD Bas | Central Semiconductor |
| 252269 | BC856B | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 252270 | BC856B | Transistors Tout usage Duels | ON Semiconductor |
| 252271 | BC856B | Transistors, & de Rf; Af | Vishay |
| 252272 | BC856B | Bâti extérieur PlanarTransistors Silicium-Épitaxial | Diotec Elektronische |
| 252273 | BC856B | PNP transistors à usage général | NXP Semiconductors |
| 252274 | BC856B | 0.250W usage général PNP Transistor SMD. 65V VCEO, 0.100A Ic, 220-475 hFE. BC846B complémentaire | Continental Device India Limited |
| 252275 | BC856B | Transistor PNP pour usage général et applications de commutation | Korea Electronics (KEC) |
| 252276 | BC856B | Ic = 100mA, Vce = transistor de 5.0V | MCC |
| 252277 | BC856B | Montage 80 V, surface PNP petit transistor de signal | TRANSYS Electronics Limited |
| 252278 | BC856B | Montage 80 V, surface PNP petit transistor de signal | TRSYS |
| 252279 | BC856B(Z) | SOT23 NPN SILICON PLANAR GÉNÉRALES TRANSISTORS DE BUT | Diodes |
| 252280 | BC856B-7 | TRANSISTOR DE SIGNAL DE BÂTI DE SURFACE DE PNP PETIT | Diodes |
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