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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
253601BCP72MTransistor De Puissance d'Af De Silicium de PNPInfineon
253602BCP72MTransistor de puissance d'cAf de silicium de PNP (commutateur de drain pour des étapes d'amplificateur de puissance de rf pour le courant élevé de conducteur d'cAf et de collecteur d'étapes de rendement)Siemens
253603BCP75W5V et 3.3V, "Moitié-Brique" 75 watts, convertisseurs de DC/DCDatel
253604BCP75W5V et 3.3V, "Moitié-Brique" 75 watts, convertisseurs de DC/DCDatel
253605BCP75W5V et 3.3V, "Moitié-Brique" 75 watts, convertisseurs de DC/DCDatel
253606BCR20 x 20 Ta2 N En arrière-Mettent en contact sur le silicium <! - - --> SIMPLE de --><!-- hybrideVishay
253607BCR 119Transistors simples d'cAf pour des applications tout usageInfineon
253608BCR 196AF-Transistors (complexes) numériques simples en paquet SOT23Infineon
253609BCR 196WAF-Transistors (complexes) numériques simples en paquet SOT323Infineon
253610BCR08AM-14Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
253611BCR08AM-14TYPE PLANAIRE DE PASSIVATION DE BASSE UTILISATION DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC)Mitsubishi Electric Corporation
253612BCR08ASBAS TYPE DE L'UTILISATION NON-INSULATED DE PUISSANCE, TYPE PLANAIRE DE PASSIVATIONPowerex Power Semiconductors
253613BCR08AS-8Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
253614BCR08AS-8UTILISATION de PUISSANCE de SEMI-conducteur de MITSUBISHI La BASSE (TRIAC) Non-a isolé le TYPE, TYPE PLANAIRE de PASSIVATIONMitsubishi Electric Corporation
253615BCR08AS-8BAS TYPE DE L'UTILISATION NON-INSULATED DE PUISSANCE, TYPE PLANAIRE DE PASSIVATIONPowerex Power Semiconductors
253616BCR08PNTransistors de Numérique - paquet SOT363Infineon
253617BCR08PNRangée de Numérique Tansistor de silicium de NPN/pnp (circuit de commutation, inverseur, circuit d'interface, circuit d'entraînement)Siemens
253618BCR10Rangée De Transistor De Numérique De Silicium de NPN/pnpInfineon



253619BCR10Rangée de Numérique Tansistor de silicium de NPN/pnp (circuit de commutation/circuit d'inverseur/interface/circuit d'entraînement)Siemens
253620BCR101Transistor De Numérique De Silicium de NPNInfineon
253621BCR101FTransistor De Numérique De Silicium de NPNInfineon
253622BCR101FE6327Transistors de Numérique - R1 = kOhm 100;R2 = kOhm 100Infineon
253623BCR101L3AF-Transistors numériques simples (de résistance intégrée) en paquet Tslp-3Infineon
253624BCR101L3E6327Transistors de Numérique - R1 = kOhm 100;R2 = kOhm 100Infineon
253625BCR101TAF-Transistors (complexes) numériques simples en paquet SC75Infineon
253626BCR101TE6327Transistors De Numérique - R1=100kOhm; R2=100kOhmInfineon
253627BCR103Transistor De Numérique De Silicium de NPNInfineon
253628BCR103FAF-Transistors numériques simples (de résistance intégrée) en paquet Tsfp-3Infineon
253629BCR103FE6327Transistors de Numérique - R1 = kOhm 2.2; R2 = kOhm 2.2Infineon
253630BCR103L3AF-Transistors numériques simples (de résistance intégrée) en paquet Tslp-3Infineon
253631BCR103L3E6327Transistors de Numérique - R1 = kOhm 2.2; R2 = kOhm 2.2Infineon
253632BCR103TAF-Transistors (complexes) numériques simples en paquet SC75Infineon
253633BCR103TE6327Transistors De Numérique - R1 = 2,2kOhm; R2 = 2,2kOhmInfineon
253634BCR103UTransistor De Numérique De Silicium de NPNInfineon
253635BCR108Transistor de Numérique de silicium de NPN (circuit de commutation, inverseur, circuit d'interface, circuit de conducteurSiemens
253636BCR108AF-Transistors (complexes) numériques simples en paquet SOT23Infineon
253637BCR108E6327Transistors de Numérique - kOhm R1=2.2; R2=47kOhmInfineon
253638BCR108FAF-Transistors numériques simples (de résistance intégrée) en paquet Tsfp-3Infineon
253639BCR108FE6327Transistors de Numérique - R1 = kOhm 2.2; R2 = kOhm 47Infineon
253640BCR108L3AF-Transistors numériques simples (de résistance intégrée) en paquet Tslp-3Infineon
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