Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
259201 | BF472 | Transistors à haute tension de PNP | Philips |
259202 | BF472 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
259203 | BF472 | 2.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 300V VCEO, 0.030A Ic, 50 hFE. Complémentaire BF471 | Continental Device India Limited |
259204 | BF483 | Transistors à haute tension de NPN | Philips |
259205 | BF485 | Transistors à haute tension de NPN | Philips |
259206 | BF485PN | Transistors de haute tension de NPN/pnp | Philips |
259207 | BF487 | Transistors à haute tension de NPN | Philips |
259208 | BF488 | Transistor à haute tension de PNP | Philips |
259209 | BF491 | TRANSISTORS PLANAIRES DE SILICIUM DE PNP | Micro Electronics |
259210 | BF492 | TRANSISTORS PLANAIRES DE SILICIUM DE PNP | Micro Electronics |
259211 | BF493 | TRANSISTORS PLANAIRES DE SILICIUM DE PNP | Micro Electronics |
259212 | BF493S | Transistor(PNP) À haute tension | Motorola |
259213 | BF493S | Plastique PNP De Silicium De Transistor | ON Semiconductor |
259214 | BF493S-D | Silicium À haute tension Du Transistor PNP | ON Semiconductor |
259215 | BF493SRL1 | High Voltage transistor PNP | ON Semiconductor |
259216 | BF493SZL1 | High Voltage transistor PNP | ON Semiconductor |
259217 | BF494 | TRANSISTORS ÉPITAXIAUX PLANAIRES DE SILICIUM DE NPN | Micro Electronics |
259218 | BF494 | Transistors moyens de fréquence de NPN | Philips |
259219 | BF494 | 0.300W usage général NPN Transistor plastique plomb. 20V VCEO, 0.030A Ic, 67-220 hFE | Continental Device India Limited |
259220 | BF494A | 0.300W usage général NPN Transistor plastique plomb. 20V VCEO, 0.030A Ic, 200 - 500 hFE | Continental Device India Limited |
259221 | BF494B | Transistors moyens de fréquence de NPN | Philips |
259222 | BF494B | 0.300W usage général NPN Transistor plastique plomb. 20V VCEO, 0.030A Ic, 100-220 hFE | Continental Device India Limited |
259223 | BF495 | TRANSISTORS ÉPITAXIAUX PLANAIRES DE SILICIUM DE NPN | Micro Electronics |
259224 | BF495 | Transistors moyens de fréquence de NPN | Philips |
259225 | BF495 | 0.300W usage général NPN Transistor plastique plomb. 20V VCEO, 0.030A Ic, 35-125 hFE | Continental Device India Limited |
259226 | BF495B | Transistors moyens de fréquence de NPN | Philips |
259227 | BF495C | 0.300W usage général NPN Transistor plastique plomb. 20V VCEO, 0.030A Ic, 65-135 hFE | Continental Device India Limited |
259228 | BF495D | 0.300W usage général NPN Transistor plastique plomb. 20V VCEO, 0.030A Ic, 35-76 hFE | Continental Device India Limited |
259229 | BF502 | TRANSISTOR DU SILICIUM RF DE NPN | Siemens |
259230 | BF503 | TRANSISTOR DU SILICIUM RF DE NPN | Siemens |
259231 | BF505 | TRANSISTOR DU SILICIUM RF DE NPN | Siemens |
259232 | BF506 | Transistor Du Silicium Rf de PNP | Infineon |
259233 | BF506 | Transistor du silicium rf de PNP (pour des étapes de mélangeur et d'oscillateur de VHF) | Siemens |
259234 | BF507 | TRANSISTOR DU SILICIUM RF DE NPN | Siemens |
259235 | BF510 | transistors d'effet de champ de silicium de N-canal | Philips |
259236 | BF510 | FET à canal N de silicium | NXP Semiconductors |
259237 | BF511 | transistors d'effet de champ de silicium de N-canal | Philips |
259238 | BF511 | FET à canal N de silicium | NXP Semiconductors |
259239 | BF512 | transistors d'effet de champ de silicium de N-canal | Philips |
259240 | BF512 | FET à canal N de silicium | NXP Semiconductors |
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