Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
275001 | BUY69C | PUISSANCE TRANSISTORS(10a, 200-400v, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
275002 | BUY70 | TRANSISTORS De PUISSANCE De SILICIUM De N P N | Texas Instruments |
275003 | BUY70 | TRANSISTORS De PUISSANCE De SILICIUM De N P N | Texas Instruments |
275004 | BUY70A | TRANSISTORS De PUISSANCE De SILICIUM De N P N | Texas Instruments |
275005 | BUY70B | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
275006 | BUY70C | TRANSISTORS De PUISSANCE De SILICIUM De N P N | Texas Instruments |
275007 | BUY70C | TRANSISTORS De PUISSANCE De SILICIUM De N P N | Texas Instruments |
275008 | BUY71 | Dispositif Bipolaire de NPN | SemeLAB |
275009 | BUY72 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
275010 | BUY77 | Dispositif Bipolaire de NPN | SemeLAB |
275011 | BUY79 | Dispositif Bipolaire de NPN | SemeLAB |
275012 | BUY81 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO39 | SemeLAB |
275013 | BUY82 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL PLANAIRE DE SILICIUM DE NPN DANS LE BOÎTIER HERMÉTIQUEMENT SCELLÉ EN MÉTAL | SemeLAB |
275014 | BUY89 | Dispositif Bipolaire de NPN | SemeLAB |
275015 | BUY90 | Dispositif Bipolaire de PNP | SemeLAB |
275016 | BUY90 | Dispositif Bipolaire de PNP | SemeLAB |
275017 | BUY92 | Dispositif bipolaire de PNP dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO39 | SemeLAB |
275018 | BUYP52 | Czêstotliwo¶ci krzemowy de ¶redniej de Tranzystor, mocy de du¿ej | Ultra CEMI |
275019 | BUYP52 | Mocy de du¿ej de Tranzystor wysokonapiêciowy | Ultra CEMI |
275020 | BUYP53 | Mocy de du¿ej de Tranzystor wysokonapiêciowy | Ultra CEMI |
275021 | BUYP53 | Czêstotliwo¶ci krzemowy de ¶redniej de Tranzystor, mocy de du¿ej | Ultra CEMI |
275022 | BUYP54 | Czêstotliwo¶ci krzemowy de ¶redniej de Tranzystor, mocy de du¿ej | Ultra CEMI |
275023 | BUYP54 | Mocy de du¿ej de Tranzystor wysokonapiêciowy | Ultra CEMI |
275024 | BUZ 20 | Actionnez le Transistor MOSFET, 100V, To-220, RDSon=0.2 L'Ohm, 13.Ä, NL | Infineon |
275025 | BUZ 305 | Transistors Conventionnels de MOS De Puissance | Infineon |
275026 | BUZ 307 | Transistors Conventionnels de MOS De Puissance | Infineon |
275027 | BUZ 308 | Transistors Conventionnels de MOS De Puissance | Infineon |
275028 | BUZ 323 | Transistors Conventionnels de MOS De Puissance | Infineon |
275029 | BUZ 325 | Transistors Conventionnels de MOS De Puissance | Infineon |
275030 | BUZ 326 | Transistors Conventionnels de MOS De Puissance | Infineon |
275031 | BUZ 330 | Transistors Conventionnels de MOS De Puissance | Infineon |
275032 | BUZ 331 | Transistors Conventionnels de MOS De Puissance | Infineon |
275033 | BUZ 338 | Transistors Conventionnels de MOS De Puissance | Infineon |
275034 | BUZ 355 | Transistors Conventionnels de MOS De Puissance | Infineon |
275035 | BUZ 356 | Transistors Conventionnels de MOS De Puissance | Infineon |
275036 | BUZ 41A | Transistors Conventionnels de MOS De Puissance | Infineon |
275037 | BUZ 42 | Transistors Conventionnels de MOS De Puissance | Infineon |
275038 | BUZ 60 | Transistors Conventionnels de MOS De Puissance | Infineon |
275039 | BUZ 61 | Transistors Conventionnels de MOS De Puissance | Infineon |
275040 | BUZ 61A | Transistors Conventionnels de MOS De Puissance | Infineon |
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