| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 401081 | EN27LV512B200P | 512kbit EPROM (64K x 8). 200ns de vitesse. Simple + 3.3V alimentation - non réglementée 2.7V d'alimentation - 3.6V | Eon Silicon Solution |
| 401082 | EN27LV512B200PI | 512kbit EPROM (64K x 8). 200ns de vitesse. Simple + 3.3V alimentation - non réglementée 2.7V d'alimentation - 3.6V | Eon Silicon Solution |
| 401083 | EN27LV512B200T | 512kbit EPROM (64K x 8). 200ns de vitesse. Simple + 3.3V alimentation - non réglementée 2.7V d'alimentation - 3.6V | Eon Silicon Solution |
| 401084 | EN27LV512B200TI | 512kbit EPROM (64K x 8). 200ns de vitesse. Simple + 3.3V alimentation - non réglementée 2.7V d'alimentation - 3.6V | Eon Silicon Solution |
| 401085 | EN27LV512B90J | 512kbit EPROM (64K x 8). 90ns de vitesse. Simple + 3.3V alimentation - non réglementée 2.7V d'alimentation - 3.6V | Eon Silicon Solution |
| 401086 | EN27LV512B90JI | 512kbit EPROM (64K x 8). 90ns de vitesse. Simple + 3.3V alimentation - non réglementée 2.7V d'alimentation - 3.6V | Eon Silicon Solution |
| 401087 | EN27LV512B90P | 512kbit EPROM (64K x 8). 90ns de vitesse. Simple + 3.3V alimentation - non réglementée 2.7V d'alimentation - 3.6V | Eon Silicon Solution |
| 401088 | EN27LV512B90PI | 512kbit EPROM (64K x 8). 90ns de vitesse. Simple + 3.3V alimentation - non réglementée 2.7V d'alimentation - 3.6V | Eon Silicon Solution |
| 401089 | EN27LV512B90T | 512kbit EPROM (64K x 8). 90ns de vitesse. Simple + 3.3V alimentation - non réglementée 2.7V d'alimentation - 3.6V | Eon Silicon Solution |
| 401090 | EN27LV512B90TI | 512kbit EPROM (64K x 8). 90ns de vitesse. Simple + 3.3V alimentation - non réglementée 2.7V d'alimentation - 3.6V | Eon Silicon Solution |
| 401091 | EN2841 | N-Canal JFET, 15V, 5 à 24mA, 50 ms, CP | ON Semiconductor |
| 401092 | EN2981 | Barrière de Schottky Diode, 30V, 0,7 A, à faible IR, PCP unique | ON Semiconductor |
| 401093 | EN2985 | Barrière de Schottky Diode, 30V, 2A, faible IR, PCP unique | ON Semiconductor |
| 401094 | EN2997 | Barrière de Schottky Diode, 30V, 0,7 A, à faible IR, unique CP | ON Semiconductor |
| 401095 | EN2999 | Barrière de Schottky Diode 50V 0.5A, faible IR, PCP unique | ON Semiconductor |
| 401096 | EN29F002 | mémoire instantanée de 2 millions de bits (256K X de 8 bits) | Eon Silicon Solution |
| 401097 | EN29F002A | mémoire instantanée de 2 millions de bits (256K X de 8 bits) | Eon Silicon Solution |
| 401098 | EN29F002AB-45JC | mémoire instantanée de 2 millions de bits (256K X de 8 bits) | Eon Silicon Solution |
| 401099 | EN29F002AB-45JCP | mémoire instantanée de 2 millions de bits (256K X de 8 bits) | Eon Silicon Solution |
| 401100 | EN29F002AB-45JI | mémoire instantanée de 2 millions de bits (256K X de 8 bits) | Eon Silicon Solution |
| 401101 | EN29F002AB-45JIP | mémoire instantanée de 2 millions de bits (256K X de 8 bits) | Eon Silicon Solution |
| 401102 | EN29F002AB-45PC | mémoire instantanée de 2 millions de bits (256K X de 8 bits) | Eon Silicon Solution |
| 401103 | EN29F002AB-45PCP | mémoire instantanée de 2 millions de bits (256K X de 8 bits) | Eon Silicon Solution |
| 401104 | EN29F002AB-45PI | mémoire instantanée de 2 millions de bits (256K X de 8 bits) | Eon Silicon Solution |
| 401105 | EN29F002AB-45PIP | mémoire instantanée de 2 millions de bits (256K X de 8 bits) | Eon Silicon Solution |
| 401106 | EN29F002AB-45TC | mémoire instantanée de 2 millions de bits (256K X de 8 bits) | Eon Silicon Solution |
| 401107 | EN29F002AB-45TCP | mémoire instantanée de 2 millions de bits (256K X de 8 bits) | Eon Silicon Solution |
| 401108 | EN29F002AB-45TI | mémoire instantanée de 2 millions de bits (256K X de 8 bits) | Eon Silicon Solution |
| 401109 | EN29F002AB-45TIP | mémoire instantanée de 2 millions de bits (256K X de 8 bits) | Eon Silicon Solution |
| 401110 | EN29F002AB-55JC | mémoire instantanée de 2 millions de bits (256K X de 8 bits) | Eon Silicon Solution |
| 401111 | EN29F002AB-55JCP | mémoire instantanée de 2 millions de bits (256K X de 8 bits) | Eon Silicon Solution |
| 401112 | EN29F002AB-55JI | mémoire instantanée de 2 millions de bits (256K X de 8 bits) | Eon Silicon Solution |
| 401113 | EN29F002AB-55JIP | mémoire instantanée de 2 millions de bits (256K X de 8 bits) | Eon Silicon Solution |
| 401114 | EN29F002AB-55PC | mémoire instantanée de 2 millions de bits (256K X de 8 bits) | Eon Silicon Solution |
| 401115 | EN29F002AB-55PCP | mémoire instantanée de 2 millions de bits (256K X de 8 bits) | Eon Silicon Solution |
| 401116 | EN29F002AB-55PI | mémoire instantanée de 2 millions de bits (256K X de 8 bits) | Eon Silicon Solution |
| 401117 | EN29F002AB-55PIP | mémoire instantanée de 2 millions de bits (256K X de 8 bits) | Eon Silicon Solution |
| 401118 | EN29F002AB-55TC | mémoire instantanée de 2 millions de bits (256K X de 8 bits) | Eon Silicon Solution |
| 401119 | EN29F002AB-55TCP | mémoire instantanée de 2 millions de bits (256K X de 8 bits) | Eon Silicon Solution |
| 401120 | EN29F002AB-55TI | mémoire instantanée de 2 millions de bits (256K X de 8 bits) | Eon Silicon Solution |
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