| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 401721 | EN29LV800JT-70T | 8 mégabits (1024K x 8 bits / 512K x 16 bits) de mémoire Flach. mémoire flash du secteur d'amorçage, CMOS 3.0 volts seulement. 70ns de vitesse. Top secteur. | Eon Silicon Solution |
| 401722 | EN29LV800JT-70TI | 8 mégabits (1024K x 8 bits / 512K x 16 bits) de mémoire Flach. mémoire flash du secteur d'amorçage, CMOS 3.0 volts seulement. 70ns de vitesse. Top secteur. | Eon Silicon Solution |
| 401723 | EN29LV800JT-90T | 8 mégabits (1024K x 8 bits / 512K x 16 bits) de mémoire Flach. mémoire flash du secteur d'amorçage, CMOS 3.0 volts seulement. 90ns de vitesse. Top secteur. | Eon Silicon Solution |
| 401724 | EN29LV800JT-90TI | 8 mégabits (1024K x 8 bits / 512K x 16 bits) de mémoire Flach. mémoire flash du secteur d'amorçage, CMOS 3.0 volts seulement. 90ns de vitesse. Top secteur. | Eon Silicon Solution |
| 401725 | EN29LV800T70RS | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 3,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 401726 | EN29LV800T70RSI | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 3,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 401727 | EN29LV800T70RSIP | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 3,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 401728 | EN29LV800T70RSP | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 3,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 401729 | EN29LV800T70RT | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 3,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 401730 | EN29LV800T70RTI | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 3,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 401731 | EN29LV800T70RTIP | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 3,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 401732 | EN29LV800T70RTP | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 3,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 401733 | EN29LV800T90S | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 3,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 401734 | EN29LV800T90SI | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 3,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 401735 | EN29LV800T90SIP | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 3,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 401736 | EN29LV800T90SP | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 3,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 401737 | EN29LV800T90T | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 3,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 401738 | EN29LV800T90TI | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 3,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 401739 | EN29LV800T90TIP | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 3,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 401740 | EN29LV800T90TP | mémoire instantanée d'instantané de secteur de botte de mémoire de 8 millions de bits (1024K X de 8 bits/512K X de 16 bits), CMOS 3,0 Volts-seulement | Eon Silicon Solution |
| 401741 | EN3025 | Transistor bipolaire,-50V,-1A, Basse VCE (sat), PNP simple NMP | ON Semiconductor |
| 401742 | EN3026 | Transistor bipolaire,-50V,-2A, faible VCE (sat), PNP simple NMP | ON Semiconductor |
| 401743 | EN3088 | PIN Diode 50V, 50mA, rs = 5 Ohm (typ), double CP | ON Semiconductor |
| 401744 | EN3093 | Transistor bipolaire, (-) 50V, (-) 3A, faible VCE (sat), (PNP) NPN simple NMP | ON Semiconductor |
| 401745 | EN3094 | Transistor bipolaire, (-) 100V, (-) 1A, Basse VCE (sat), (PNP) NPN simple NMP | ON Semiconductor |
| 401746 | EN3096 | Transistor bipolaire, (-) 100V, (-) 2A, faible VCE (sat), (PNP) NPN simple NMP | ON Semiconductor |
| 401747 | EN3235 | Transistor bipolaire, 20V, 5A, faible VCE (sat), NPN simple NMP | ON Semiconductor |
| 401748 | EN3240 | Barrière de Schottky Diode, 5V, 30mA, 0.69pF, double CP | ON Semiconductor |
| 401749 | EN3309 | Amplificateur de puissance 5W avec très peu de pièces externes pour Autoradio | ON Semiconductor |
| 401750 | EN3578 | Transistor bipolaire, (-) 160V, (-) 1,5, faible VCE (sat), (PNP) NPN simple NMP | ON Semiconductor |
| 401751 | EN3582 | Transistor bipolaire,-180V, 160A-, faible VCE (sat) PNP simple NMP | ON Semiconductor |
| 401752 | EN3906 | PIN Diode 50V, 50mA, rs = 5 Ohm (typ), double MCP | ON Semiconductor |
| 401753 | EN4401 | PIN Diode 50V, 50mA, rs = max 4,5 Ohm, double MCP | ON Semiconductor |
| 401754 | EN4403 | PIN Diode 50V, 50mA, rs = max 4,5 Ohm, double CP | ON Semiconductor |
| 401755 | EN4423 | N-channnel Porte double MOSFET, 15V, 30mA, PG = 21dB, NF = 1.1dB, CP4 | ON Semiconductor |
| 401756 | EN4510 | PIN Diode 50V, 50mA, rs = 2,5 Ohm (typ), MCP unique | ON Semiconductor |
| 401757 | EN4511 | PIN Diode 50V, 50mA, rs = 2,5 Ohm (typ), double MCP | ON Semiconductor |
| 401758 | EN4514 | PIN Diode 50V, 50mA, rs = 2,5 Ohm (typ), double CP | ON Semiconductor |
| 401759 | EN4715 | Performance frontal FM pour autoradios | ON Semiconductor |
| 401760 | EN4839 | N-Canal JFET, 15V, 6 à 32mA, 38mS, CP | ON Semiconductor |
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