Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
50001 | 2SA0886 | Dispositif De Puissance - Transistors De Puissance - D'autres | Panasonic |
50002 | 2SA0900 | Dispositif De Puissance - Transistors De Puissance - D'autres | Panasonic |
50003 | 2SA0914 | Dispositif De Puissance - Transistors De Puissance - D'autres | Panasonic |
50004 | 2SA0921 | Dispositif small-signal - transistor small-signal - Général-employez Amplifires de basse fréquence | Panasonic |
50005 | 2SA0963 | Dispositif De Puissance - Transistors De Puissance - D'autres | Panasonic |
50006 | 2SA100 | Dérive De la GE PNP | Unknow |
50007 | 2SA100 | Dérive De la GE PNP | Unknow |
50008 | 2SA1006 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP/npn | NEC |
50009 | 2SA1006A | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP/npn | NEC |
50010 | 2SA1006B | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP/npn | NEC |
50011 | 2SA1008 | Transistor de silicium | NEC |
50012 | 2SA1008(1) | Transistor de silicium | NEC |
50013 | 2SA1008(2) | Transistor de silicium | NEC |
50014 | 2SA1008(3) | Transistor de silicium | NEC |
50015 | 2SA1008(4) | Transistor de silicium | NEC |
50016 | 2SA1008-S | Transistor de silicium | NEC |
50017 | 2SA1008-Z | Transistor de silicium | NEC |
50018 | 2SA1009 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNP | NEC |
50019 | 2SA1009 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNP | NEC |
50020 | 2SA1009A | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNP | NEC |
50021 | 2SA1009A | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNP | NEC |
50022 | 2SA101 | Dérive De la GE PNP | Unknow |
50023 | 2SA101 | Dérive De la GE PNP | Unknow |
50024 | 2SA1010 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM | NEC |
50025 | 2SA1010(1) | Transistor de silicium | NEC |
50026 | 2SA1010(2) | Transistor de silicium | NEC |
50027 | 2SA1011 | La Commutation À haute tension, La Puissance L'Ampère, 100W d'Af A produit Des Applications De Predriver | SANYO |
50028 | 2SA1011 | PUISSANCE TRANSISTORS(1.ä, 160v, 25w) | MOSPEC Semiconductor |
50029 | 2SA1011 | AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE ÉPITAXIAL DE FRÉQUENCE DU SILICIUM TRANSISTOR(low DE PNP) | Wing Shing Computer Components |
50030 | 2SA1012 | APPLICATIONS COURANTES ÉLEVÉES ÉPITAXIALES DE COMMUTATION DE TYPE DU SILICIUM PNP DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT). | TOSHIBA |
50031 | 2SA1012 | PUISSANCE TRANSISTORS(ä, 50v, 25w) | MOSPEC Semiconductor |
50032 | 2SA1013 | COULEUR ÉPITAXIALE TV VERT DE TYPE DU SILICIUM PNP DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT). RENDEMENT De DÉBATTEMENT, APPLICATIONS SAINES De RENDEMENT De la CLASSE B De la COULEUR TV | TOSHIBA |
50033 | 2SA1015 | Applications tout usage épitaxiales d'amplificateur d'étape de conducteur d'applications d'amplificateur de fréquence sonore de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) | TOSHIBA |
50034 | 2SA1015 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE PNP | Micro Electronics |
50035 | 2SA1015 | Amplificateur à basse fréquence. Tension collecteur-base: 50V = VCBO. Tension collecteur-émetteur: 50V = VCEO. Tension émetteur-base Vebo = -5V.Collector dissipation: Pc (max) = 400 mW. | USHA India LTD |
50036 | 2SA1015(L) | Applications d'amplificateur de bruit de type du silicium PNP de transistor basses (processus de PCT) de fréquence sonore d'applications épitaxiales d'amplificateur | TOSHIBA |
50037 | 2SA1015GR | TRANSISTOR DE SILICIUM DE PNP | Micro Electronics |
50038 | 2SA1015L | TRANSISTOR (APPLICATIONS D'CAmplificateur DE FRÉQUENCE SONORE) | TOSHIBA |
50039 | 2SA1015Y | Transistor de silicium PNP 400mW | Micro Electronics |
50040 | 2SA1016 | Applications À faible bruit À haute tension D'Ampère | SANYO |
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