| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 50241 | 2SA1221 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM de PNP POUR LES AMPLIFICATEURS de PUISSANCE De basse fréquence | NEC |
| 50242 | 2SA1221-T | Transistor de silicium | NEC |
| 50243 | 2SA1222 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM de PNP POUR LES AMPLIFICATEURS de PUISSANCE De basse fréquence | NEC |
| 50244 | 2SA1222-T | Transistor de silicium | NEC |
| 50245 | 2SA1225 | Applications épitaxiales d'amplificateur d'étape de conducteur d'applications d'amplificateur de puissance de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) | TOSHIBA |
| 50246 | 2SA1226 | MINI MOULE DE L'CAmplificateur PNP DE TRANSISTOR ÉPITAXIAL À HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM | NEC |
| 50247 | 2SA1226-L | Transistor de silicium | NEC |
| 50248 | 2SA1226-T1B | Transistor de silicium | NEC |
| 50249 | 2SA1226-T2B | Transistor de silicium | NEC |
| 50250 | 2SA1227 | LE TRIPLE DE SILICIUM DU SILICIUM EPITAXIAL/NPN DE PNP A RÉPANDU LE TRANSISTOR | Unknow |
| 50251 | 2SA1227 | LE TRIPLE DE SILICIUM DU SILICIUM EPITAXIAL/NPN DE PNP A RÉPANDU LE TRANSISTOR | Unknow |
| 50252 | 2SA1227 | LE TRIPLE DE SILICIUM DU SILICIUM EPITAXIAL/NPN DE PNP A RÉPANDU LE TRANSISTOR | Unknow |
| 50253 | 2SA1227 | LE TRIPLE DE SILICIUM DU SILICIUM EPITAXIAL/NPN DE PNP A RÉPANDU LE TRANSISTOR | Unknow |
| 50254 | 2SA1227A | LE TRIPLE DE SILICIUM DU SILICIUM EPITAXIAL/NPN DE PNP A RÉPANDU LE TRANSISTOR | Unknow |
| 50255 | 2SA1227A | LE TRIPLE DE SILICIUM DU SILICIUM EPITAXIAL/NPN DE PNP A RÉPANDU LE TRANSISTOR | Unknow |
| 50256 | 2SA1227A | LE TRIPLE DE SILICIUM DU SILICIUM EPITAXIAL/NPN DE PNP A RÉPANDU LE TRANSISTOR | Unknow |
| 50257 | 2SA1227A | LE TRIPLE DE SILICIUM DU SILICIUM EPITAXIAL/NPN DE PNP A RÉPANDU LE TRANSISTOR | Unknow |
| 50258 | 2SA1232 | LE TRIPLE DE SILICIUM DU SILICIUM EPITAXIAL/NPN DE PNP A RÉPANDU LE TRANSISTOR | Unknow |
| 50259 | 2SA1232 | LE TRIPLE DE SILICIUM DU SILICIUM EPITAXIAL/NPN DE PNP A RÉPANDU LE TRANSISTOR | Unknow |
| 50260 | 2SA1235A | TRANSISTOR DE PNP | DONG GUAN SHI HUA YUAN ELECTRON CO. |
| 50261 | 2SA1235A | TRANSISTOR DE PNP | DONG GUAN SHI HUA YUAN ELECTRON CO. |
| 50262 | 2SA1235A | Transistor PNP 200mW SMD, note maximale: -50V VCEO, -200mA Ic, 150 à 500 hFE. Améliorer 2SA1235 | Isahaya Electronics Corporation |
| 50263 | 2SA1237 | APPLICATIONS DIFFÉRENTIELLES D'AMPÈRE | SANYO |
| 50264 | 2SA1237 | APPLICATIONS DIFFÉRENTIELLES D'AMPÈRE | SANYO |
| 50265 | 2SA1238 | APPLICATIONS DIFFÉRENTIELLES D'AMPÈRE | SANYO |
| 50266 | 2SA1238 | APPLICATIONS DIFFÉRENTIELLES D'AMPÈRE | SANYO |
| 50267 | 2SA1239 | APPLICATIONS DIFFÉRENTIELLES D'AMPÈRE | SANYO |
| 50268 | 2SA1239 | APPLICATIONS DIFFÉRENTIELLES D'AMPÈRE | SANYO |
| 50269 | 2SA1240 | APPLICATIONS DIFFÉRENTIELLES D'AMPÈRE | SANYO |
| 50270 | 2SA1240 | APPLICATIONS DIFFÉRENTIELLES D'AMPÈRE | SANYO |
| 50271 | 2SA1241 | Les applications épitaxiales d'amplificateur de puissance de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) actionnent des applications de commutation | TOSHIBA |
| 50272 | 2SA1242 | Applications moyennes d'amplificateur de puissance de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) de stroboscope d'applications épitaxiales d'instantané | TOSHIBA |
| 50273 | 2SA1244 | Applications courantes élevées épitaxiales de commutation de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) | TOSHIBA |
| 50274 | 2SA1245 | Applications à haute fréquence d'amplificateur d'amplificateur de type planaire épitaxial du silicium PNP de transistor basses et de bruit de bande des applications VHF~uhf de commutation | TOSHIBA |
| 50275 | 2SA1246 | Haut-VEBO, Applications d'Af Ampère | SANYO |
| 50276 | 2SA1248 | Applications De la Commutation 160V/700mA | SANYO |
| 50277 | 2SA1249 | Applications De la Commutation 160V/1.ä | SANYO |
| 50278 | 2SA1252 | Haut VEBO, Applications d'Af Ampère | SANYO |
| 50279 | 2SA1253 | Haut-hFE, Applications d'Af Ampère | SANYO |
| 50280 | 2SA1254 | Dispositif small-signal - transistor small-signal - amplificateurs à haute fréquence et d'autres | Panasonic |
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