| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 50281 | 2SA1255 | Le silicium PNP de transistor triplent (processus de PCT) des applications à haute tension diffuses de commutation | TOSHIBA |
| 50282 | 2SA1256 | Applications À haute fréquence D'Ampère | SANYO |
| 50283 | 2SA1257 | La Commutation À haute tension, La Puissance L'Ampère, 100W d'Af A produit Des Applications De Predriver | SANYO |
| 50284 | 2SA1258 | 60V/á pour des applications à grande vitesse de conducteurs | SANYO |
| 50285 | 2SA1259 | 60V/ä pour des applications à grande vitesse de conducteurs | SANYO |
| 50286 | 2SA1261 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP | Unknow |
| 50287 | 2SA1261 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP | Unknow |
| 50288 | 2SA1262 | Transistor Du Silicium PNP | Sanken |
| 50289 | 2SA1263 | TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM PNP | TOSHIBA |
| 50290 | 2SA1263 | TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM PNP | TOSHIBA |
| 50291 | 2SA1264 | TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM PNP | TOSHIBA |
| 50292 | 2SA1265 | Applications D'Amplificateur De Puissance | TOSHIBA |
| 50293 | 2SA1266 | TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DE TRANSISTOR DU SILICIUM PNP | Korea Electronics (KEC) |
| 50294 | 2SA1266L | TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DE TRANSISTOR DU SILICIUM PNP | Korea Electronics (KEC) |
| 50295 | 2SA1270 | Transistors | Korea Electronics (KEC) |
| 50296 | 2SA1271 | TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DE TRANSISTOR DU SILICIUM PNP | Korea Electronics (KEC) |
| 50297 | 2SA1271 | TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DE TRANSISTOR DU SILICIUM PNP | Korea Electronics (KEC) |
| 50298 | 2SA1273 | PROCESSUS Planaire Épitaxial Du Transistor Type(PCT Du Silicium PNP) | Korea Electronics (KEC) |
| 50299 | 2SA1282 | POUR LA PUISSANCE DE BASSE FRÉQUENCE AMPLIFIEZ LE TYPEÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION | Isahaya Electronics Corporation |
| 50300 | 2SA1282 | POUR LA PUISSANCE DE BASSE FRÉQUENCE AMPLIFIEZ LE TYPEÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION | Isahaya Electronics Corporation |
| 50301 | 2SA1282A | POUR LA PUISSANCE DE BASSE FRÉQUENCE AMPLIFIEZ LE TYPEÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION | Isahaya Electronics Corporation |
| 50302 | 2SA1282A | POUR LA PUISSANCE DE BASSE FRÉQUENCE AMPLIFIEZ LE TYPEÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION | Isahaya Electronics Corporation |
| 50303 | 2SA1283 | SILICIUM PNP 2SA1283 | Isahaya Electronics Corporation |
| 50304 | 2SA1283 | SILICIUM PNP 2SA1283 | Isahaya Electronics Corporation |
| 50305 | 2SA1284 | 900mW plomb transistor PNP cadre, note maximale: -100V VCEO, -500mA Ic, 55-300 hFE. 2SC3244 complémentaire | Isahaya Electronics Corporation |
| 50306 | 2SA1285 | POUR LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION DE PRE-DRIVE | Isahaya Electronics Corporation |
| 50307 | 2SA1285 | POUR LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION DE PRE-DRIVE | Isahaya Electronics Corporation |
| 50308 | 2SA1285A | POUR LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION DE PRE-DRIVE | Isahaya Electronics Corporation |
| 50309 | 2SA1285A | POUR LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION DE PRE-DRIVE | Isahaya Electronics Corporation |
| 50310 | 2SA1286 | PETIT TYPE MOTEUR, TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATIOND'ENTRAÎNEMENT DE PLONGEUR | Isahaya Electronics Corporation |
| 50311 | 2SA1286 | PETIT TYPE MOTEUR, TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATIOND'ENTRAÎNEMENT DE PLONGEUR | Isahaya Electronics Corporation |
| 50312 | 2SA1287 | POUR LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION D'ALIMENTATION D'ÉNERGIE D'ENTRAÎNEMENT DE RELAIS | Isahaya Electronics Corporation |
| 50313 | 2SA1287 | POUR LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM PNP D'APPLICATION D'ALIMENTATION D'ÉNERGIE D'ENTRAÎNEMENT DE RELAIS | Isahaya Electronics Corporation |
| 50314 | 2SA1289 | Applications À grande vitesse De la Commutation 60V/ä | SANYO |
| 50315 | 2SA1290 | Applications À grande vitesse De la Commutation 60V/7a | SANYO |
| 50316 | 2SA1291 | Applications À grande vitesse De la Commutation 60V/10a | SANYO |
| 50317 | 2SA1292 | Applications À grande vitesse De la Commutation 60V/1ä | SANYO |
| 50318 | 2SA1293 | Applications Courantes Élevées De Commutation de TYPE du SILICIUM PNP PITAXIAL de TRANSISTOR (PROCESSUS de PCT) | TOSHIBA |
| 50319 | 2SA1294 | Silicium PNP Transistor(Audio planaire épitaxial et usage universel) | Sanken |
| 50320 | 2SA1295 | PUISSANCE TRANSISTORS(17a, 230v, 200w) | MOSPEC Semiconductor |
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