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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
506812SA1612-T2Transistor de siliciumNEC
506822SA1614Pour la commutation à grande vitessePanasonic
506832SA1615Transistor de siliciumNEC
506842SA1615(1)Transistor de siliciumNEC
506852SA1615-ZTransistor de siliciumNEC
506862SA1617Transistor Du Silicium PNPHitachi Semiconductor
506872SA1617Silicium PNP ÉpitaxialHitachi Semiconductor
506882SA1618Applications tout usage épitaxiales d'amplificateur de fréquence sonore de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT)TOSHIBA
506892SA1619Dispositif small-signal - transistor small-signal - Général-employez Amplifires de basse fréquencePanasonic
506902SA1619ADispositif small-signal - transistor small-signal - Général-employez Amplifires de basse fréquencePanasonic
506912SA1620Applications épitaxiales d'amplificateur de fréquence sonore de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT)TOSHIBA
506922SA1621Applications audio épitaxiales d'amplificateur de puissance de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT)TOSHIBA
506932SA1624TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNPSANYO
506942SA1624TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNPSANYO
506952SA1625Amplificateur de but de TRANSISTOR(general de SILICIUM de PNP et commutation à grande vitesse)NEC
506962SA1625Les interrupteurs de haute tension. Tension collecteur-base: VCBO = -400 V. Tension collecteur-émetteur: VCEO = -400 V. Tension émetteur-base Vebo = 7V. Collector dissipation: Pc (max) = o.75W.USHA India LTD
506972SA1625-TTransistor de siliciumNEC
506982SA1625-T/JDTransistor de siliciumNEC



506992SA1625-T/JMTransistor de siliciumNEC
507002SA1625/JDTransistor de siliciumNEC
507012SA1625/JMTransistor de siliciumNEC
507022SA1626Amplificateur de but de TRANSISTOR(general de SILICIUM de PNP et commutation à grande vitesse)NEC
507032SA1627Amplificateur de but de TRANSISTOR(general de SILICIUM de PNP et commutation à grande vitesse)NEC
507042SA1633TRANSISTORSUnknow
507052SA1633TRANSISTORSUnknow
507062SA1634PAQUET ATTACHÉ DU RUBAN ADHÉSIF DE TRANSISTOR DE PUISSANCE POUR L'USAGE AVEC UNE MACHINE DE PLACEMENT AUTOMATIQUEROHM
507072SA1634PAQUET ATTACHÉ DU RUBAN ADHÉSIF DE TRANSISTOR DE PUISSANCE POUR L'USAGE AVEC UNE MACHINE DE PLACEMENT AUTOMATIQUEROHM
507082SA1635PAQUET ATTACHÉ DU RUBAN ADHÉSIF DE TRANSISTOR DE PUISSANCE POUR L'USAGE AVEC UNE MACHINE DE PLACEMENT AUTOMATIQUEROHM
507092SA1635PAQUET ATTACHÉ DU RUBAN ADHÉSIF DE TRANSISTOR DE PUISSANCE POUR L'USAGE AVEC UNE MACHINE DE PLACEMENT AUTOMATIQUEROHM
507102SA1641Applications À forte intensité De Commutation De Transistor Planaire Épitaxial De Silicium de PNPSANYO
507112SA1645Transistor épitaxial de silicium de type de PNPNEC
507122SA1645-ZTransistor épitaxial de silicium de type de PNPNEC
507132SA1645-Z-E1Transistor épitaxial de silicium de type de PNPNEC
507142SA1646Commutation élevée de vitesseNEC
507152SA1646-ZCommutation élevée de vitesseNEC
507162SA1646-Z-E1Commutation élevée de vitesseNEC
507172SA1647Commutation élevée de vitesseNEC
507182SA1647-ZCommutation élevée de vitesseNEC
507192SA1647-Z-E1Commutation élevée de vitesseNEC
507202SA1647-Z-E2Commutation élevée de vitesseNEC
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