Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
50681 | 2SA1612-T2 | Transistor de silicium | NEC |
50682 | 2SA1614 | Pour la commutation à grande vitesse | Panasonic |
50683 | 2SA1615 | Transistor de silicium | NEC |
50684 | 2SA1615(1) | Transistor de silicium | NEC |
50685 | 2SA1615-Z | Transistor de silicium | NEC |
50686 | 2SA1617 | Transistor Du Silicium PNP | Hitachi Semiconductor |
50687 | 2SA1617 | Silicium PNP Épitaxial | Hitachi Semiconductor |
50688 | 2SA1618 | Applications tout usage épitaxiales d'amplificateur de fréquence sonore de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) | TOSHIBA |
50689 | 2SA1619 | Dispositif small-signal - transistor small-signal - Général-employez Amplifires de basse fréquence | Panasonic |
50690 | 2SA1619A | Dispositif small-signal - transistor small-signal - Général-employez Amplifires de basse fréquence | Panasonic |
50691 | 2SA1620 | Applications épitaxiales d'amplificateur de fréquence sonore de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) | TOSHIBA |
50692 | 2SA1621 | Applications audio épitaxiales d'amplificateur de puissance de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) | TOSHIBA |
50693 | 2SA1624 | TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP | SANYO |
50694 | 2SA1624 | TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP | SANYO |
50695 | 2SA1625 | Amplificateur de but de TRANSISTOR(general de SILICIUM de PNP et commutation à grande vitesse) | NEC |
50696 | 2SA1625 | Les interrupteurs de haute tension. Tension collecteur-base: VCBO = -400 V. Tension collecteur-émetteur: VCEO = -400 V. Tension émetteur-base Vebo = 7V. Collector dissipation: Pc (max) = o.75W. | USHA India LTD |
50697 | 2SA1625-T | Transistor de silicium | NEC |
50698 | 2SA1625-T/JD | Transistor de silicium | NEC |
50699 | 2SA1625-T/JM | Transistor de silicium | NEC |
50700 | 2SA1625/JD | Transistor de silicium | NEC |
50701 | 2SA1625/JM | Transistor de silicium | NEC |
50702 | 2SA1626 | Amplificateur de but de TRANSISTOR(general de SILICIUM de PNP et commutation à grande vitesse) | NEC |
50703 | 2SA1627 | Amplificateur de but de TRANSISTOR(general de SILICIUM de PNP et commutation à grande vitesse) | NEC |
50704 | 2SA1633 | TRANSISTORS | Unknow |
50705 | 2SA1633 | TRANSISTORS | Unknow |
50706 | 2SA1634 | PAQUET ATTACHÉ DU RUBAN ADHÉSIF DE TRANSISTOR DE PUISSANCE POUR L'USAGE AVEC UNE MACHINE DE PLACEMENT AUTOMATIQUE | ROHM |
50707 | 2SA1634 | PAQUET ATTACHÉ DU RUBAN ADHÉSIF DE TRANSISTOR DE PUISSANCE POUR L'USAGE AVEC UNE MACHINE DE PLACEMENT AUTOMATIQUE | ROHM |
50708 | 2SA1635 | PAQUET ATTACHÉ DU RUBAN ADHÉSIF DE TRANSISTOR DE PUISSANCE POUR L'USAGE AVEC UNE MACHINE DE PLACEMENT AUTOMATIQUE | ROHM |
50709 | 2SA1635 | PAQUET ATTACHÉ DU RUBAN ADHÉSIF DE TRANSISTOR DE PUISSANCE POUR L'USAGE AVEC UNE MACHINE DE PLACEMENT AUTOMATIQUE | ROHM |
50710 | 2SA1641 | Applications À forte intensité De Commutation De Transistor Planaire Épitaxial De Silicium de PNP | SANYO |
50711 | 2SA1645 | Transistor épitaxial de silicium de type de PNP | NEC |
50712 | 2SA1645-Z | Transistor épitaxial de silicium de type de PNP | NEC |
50713 | 2SA1645-Z-E1 | Transistor épitaxial de silicium de type de PNP | NEC |
50714 | 2SA1646 | Commutation élevée de vitesse | NEC |
50715 | 2SA1646-Z | Commutation élevée de vitesse | NEC |
50716 | 2SA1646-Z-E1 | Commutation élevée de vitesse | NEC |
50717 | 2SA1647 | Commutation élevée de vitesse | NEC |
50718 | 2SA1647-Z | Commutation élevée de vitesse | NEC |
50719 | 2SA1647-Z-E1 | Commutation élevée de vitesse | NEC |
50720 | 2SA1647-Z-E2 | Commutation élevée de vitesse | NEC |
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