| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 567521 | IRF153 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567522 | IRF153 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Égoutter-sourge tension 60V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 33A. | General Electric Solid State |
| 567523 | IRF153 | 33A et 40A, 60V et 100V, 0,055 et 0,08 Ohm à canal N MOSFET de puissance | Intersil |
| 567524 | IRF1607 | 75V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567525 | IRF1704 | Puissance MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=170A.?/td > |
| 8017 | IRF2907ZS-7PPBF | International Rectifier |
| 567526 | IRF1704 | Puissance MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=170A.?/td > |
| 8017 | IRF2907ZS-7PPBF | International Rectifier |
| 567527 | IRF1730G | Puissance MOSFET(Vdss=400V/Rds(on)=1.0ohm/Id=3.7A) | International Rectifier |
| 567528 | IRF1902 | 20V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet So-8 | International Rectifier |
| 567529 | IRF1902TR | 20V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet So-8 | International Rectifier |
| 567530 | IRF200 | 50W à l'ALUMINIUM FORMÉ PLAT de RÉSISTANCES de BLESSURE de FIL de la PUISSANCE 500W ÉLEVÉE LOGÉ | etc |
| 567531 | IRF200 | 50W à l'ALUMINIUM FORMÉ PLAT de RÉSISTANCES de BLESSURE de FIL de la PUISSANCE 500W ÉLEVÉE LOGÉ | etc |
| 567532 | IRF200S100RJ | 50W à l'ALUMINIUM FORMÉ PLAT de RÉSISTANCES de BLESSURE de FIL de la PUISSANCE 500W ÉLEVÉE LOGÉ | etc |
| 567533 | IRF200S100RJ | 50W à l'ALUMINIUM FORMÉ PLAT de RÉSISTANCES de BLESSURE de FIL de la PUISSANCE 500W ÉLEVÉE LOGÉ | etc |
| 567534 | IRF220 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/7A/150-200V | Fairchild Semiconductor |
| 567535 | IRF220 | 4.0A et 5.0A/150V et 200V/transistors MOSFET de puissance 0,8 et 1,2 ohms/N-Canal | Intersil |
| 567536 | IRF220 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567537 | IRF220 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 200V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 5.0A. | General Electric Solid State |
| 567538 | IRF220-223 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/7A/150-200V | Fairchild Semiconductor |
| 567539 | IRF2204 | 40V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567540 | IRF2204L | 40V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 567541 | IRF2204S | 40V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567542 | IRF221 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/7A/150-200V | Fairchild Semiconductor |
| 567543 | IRF221 | 4.0A et 5.0A/150V et 200V/transistors MOSFET de puissance 0,8 et 1,2 ohms/N-Canal | Intersil |
| 567544 | IRF221 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567545 | IRF221 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 150V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 5.0A. | General Electric Solid State |
| 567546 | IRF222 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/7A/150-200V | Fairchild Semiconductor |
| 567547 | IRF222 | 4.0A et 5.0A/150V et 200V/transistors MOSFET de puissance 0,8 et 1,2 ohms/N-Canal | Intersil |
| 567548 | IRF222 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567549 | IRF222 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 200V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
| 567550 | IRF223 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/7A/150-200V | Fairchild Semiconductor |
| 567551 | IRF223 | 4.0A et 5.0A/150V et 200V/transistors MOSFET de puissance 0,8 et 1,2 ohms/N-Canal | Intersil |
| 567552 | IRF223 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567553 | IRF223 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 150V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
| 567554 | IRF224 | (IRF225) Transistors de HEXFET | International Rectifier |
| 567555 | IRF230 | 200V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20âa | International Rectifier |
| 567556 | IRF230 | Transistor MOSFET À HAUTE TENSION de PUISSANCE de MODE de PERFECTIONNEMENT De N-canal | SemeLAB |
| 567557 | IRF230 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/1À/150-200 V | Fairchild Semiconductor |
| 567558 | IRF230 | 8.0A et 9.0A/150V et 200V/transistors MOSFET de puissance 0,4 et 0,6 ohms/N-Canal | Intersil |
| 567559 | IRF230 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567560 | IRF230 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 200V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 9,0 A. | General Electric Solid State |
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