| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 567561 | IRF230-233 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/1À/150-200 V | Fairchild Semiconductor |
| 567562 | IRF231 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/1À/150-200 V | Fairchild Semiconductor |
| 567563 | IRF231 | 8.0A et 9.0A/150V et 200V/transistors MOSFET de puissance 0,4 et 0,6 ohms/N-Canal | Intersil |
| 567564 | IRF231 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567565 | IRF231 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 150V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 9,0 A. | General Electric Solid State |
| 567566 | IRF232 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/1À/150-200 V | Fairchild Semiconductor |
| 567567 | IRF232 | 8.0A et 9.0A/150V et 200V/transistors MOSFET de puissance 0,4 et 0,6 ohms/N-Canal | Intersil |
| 567568 | IRF232 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567569 | IRF232 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 200V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 8.0A. | General Electric Solid State |
| 567570 | IRF233 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/1À/150-200 V | Fairchild Semiconductor |
| 567571 | IRF233 | 8.0A et 9.0A/150V et 200V/transistors MOSFET de puissance 0,4 et 0,6 ohms/N-Canal | Intersil |
| 567572 | IRF233 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567573 | IRF233 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 150V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 8.0A. | General Electric Solid State |
| 567574 | IRF234 | 8.1A et 6.Ä/275V et 250V/transistors MOSFET de puissance 0,45 et 0,68 ohms/N-Canal | Intersil |
| 567575 | IRF235 | 8.1A et 6.Ä/275V et 250V/transistors MOSFET de puissance 0,45 et 0,68 ohms/N-Canal | Intersil |
| 567576 | IRF236 | 8.1A et 6.Ä/275V et 250V/transistors MOSFET de puissance 0,45 et 0,68 ohms/N-Canal | Intersil |
| 567577 | IRF237 | 8.1A et 6.Ä/275V et 250V/transistors MOSFET de puissance 0,45 et 0,68 ohms/N-Canal | Intersil |
| 567578 | IRF240 | 200V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20âe | International Rectifier |
| 567579 | IRF240 | Transistor MOSFET de PUISSANCE De N-canal POUR DES APPLICATIONS de HI.rel | SemeLAB |
| 567580 | IRF240 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/1Å/150-200V | Fairchild Semiconductor |
| 567581 | IRF240 | Transistor MOSFET De Puissance De 1Å/200V/0,180 Ohms/N-Canal | Intersil |
| 567582 | IRF240 | Transistor MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567583 | IRF240-243 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/1Å/150-200V | Fairchild Semiconductor |
| 567584 | IRF240SMD | TRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCE DE N.channel | SemeLAB |
| 567585 | IRF241 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/1Å/150-200V | Fairchild Semiconductor |
| 567586 | IRF241 | Transistor MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567587 | IRF241 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 150V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 18A. | General Electric Solid State |
| 567588 | IRF241 | 16A et 18A, 200V et 150V, 0,18 et 0,22 Ohm à canal N MOSFET de puissance | Intersil |
| 567589 | IRF242 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/1Å/150-200V | Fairchild Semiconductor |
| 567590 | IRF242 | Transistor MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567591 | IRF242 | 16A et 18A, 200V et 150V, 0,18 et 0,22 Ohm à canal N MOSFET de puissance | Intersil |
| 567592 | IRF243 | Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/1Å/150-200V | Fairchild Semiconductor |
| 567593 | IRF243 | Transistor MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567594 | IRF243 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 150V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 16A. | General Electric Solid State |
| 567595 | IRF243 | 16A et 18A, 200V et 150V, 0,18 et 0,22 Ohm à canal N MOSFET de puissance | Intersil |
| 567596 | IRF244 | 1Â et 1Á/275V et 250V/transistors MOSFET de puissance 0,28 et 0,34 ohms/N-Canal | Intersil |
| 567597 | IRF245 | 1Â et 1Á/275V et 250V/transistors MOSFET de puissance 0,28 et 0,34 ohms/N-Canal | Intersil |
| 567598 | IRF246 | 1Â et 1Á/275V et 250V/transistors MOSFET de puissance 0,28 et 0,34 ohms/N-Canal | Intersil |
| 567599 | IRF247 | 1Â et 1Á/275V et 250V/transistors MOSFET de puissance 0,28 et 0,34 ohms/N-Canal | Intersil |
| 567600 | IRF250 | 200V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20âe | International Rectifier |
| | | |
