| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 567601 | IRF250 | Transistor MOSFET de PUISSANCE De N-canal | SemeLAB |
| 567602 | IRF250 | Transistor MOSFET De Puissance De 30A/200V/0,085 Ohms/N-Canal | Intersil |
| 567603 | IRF250 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567604 | IRF250 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 200V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 30A. | General Electric Solid State |
| 567605 | IRF250SMD | TRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCE DE N.channel | SemeLAB |
| 567606 | IRF251 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567607 | IRF251 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 150V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 30A. | General Electric Solid State |
| 567608 | IRF251 | 25A et 30A, 150V et 200V, 0,085 et 0,120 Ohm à canal N MOSFET de puissance | Intersil |
| 567609 | IRF252 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567610 | IRF252 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 200V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 25A. | General Electric Solid State |
| 567611 | IRF252 | 25A et 30A, 150V et 200V, 0,085 et 0,120 Ohm à canal N MOSFET de puissance | Intersil |
| 567612 | IRF253 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 567613 | IRF253 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 150V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 25A. | General Electric Solid State |
| 567614 | IRF253 | 25A et 30A, 150V et 200V, 0,085 et 0,120 Ohm à canal N MOSFET de puissance | Intersil |
| 567615 | IRF2804 | 40V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567616 | IRF2804L | 40V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 567617 | IRF2804S | 40V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567618 | IRF2804S-7P | TRANSISTOR MOSFET DES VÉHICULES À MOTEUR | International Rectifier |
| 567619 | IRF2805 | 55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567620 | IRF2805L | 55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 567621 | IRF2805S | 55V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567622 | IRF2807 | 75V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567623 | IRF2807L | 75V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 567624 | IRF2807PBF | 75V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567625 | IRF2807S | 75V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567626 | IRF2807STRL | 75V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567627 | IRF2807STRL-111 | 75V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567628 | IRF2807STRR | 75V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567629 | IRF2807Z | 75V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567630 | IRF2807ZL | 75V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 567631 | IRF2807ZS | 75V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2Pak | International Rectifier |
| 567632 | IRF2907S | 75V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567633 | IRF2907Z | 75V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 567634 | IRF2907ZL | 75V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 567635 | IRF2907ZS | 75V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 567636 | IRF2907ZS-7PPBF | IRF2907ZS-7PPBF | International Rectifier |
| 567637 | IRF2907ZS-7PPBF | IRF2907ZS-7PPBF | International Rectifier |
| 567638 | IRF300 | 50W à l'ALUMINIUM FORMÉ PLAT de RÉSISTANCES de BLESSURE de FIL de la PUISSANCE 500W ÉLEVÉE LOGÉ | etc |
| 567639 | IRF300 | 50W à l'ALUMINIUM FORMÉ PLAT de RÉSISTANCES de BLESSURE de FIL de la PUISSANCE 500W ÉLEVÉE LOGÉ | etc |
| 567640 | IRF3000 | 300V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet So-8 | International Rectifier |
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