| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 568841 | IRF820S | 500V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568842 | IRF820STRL | 500V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568843 | IRF820STRR | 500V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
| 568844 | IRF821 | Porte De Silicium De Perfectionnement-Mode De N-canal TMOS | Motorola |
| 568845 | IRF821 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/3,0/450 V/500 V | Fairchild Semiconductor |
| 568846 | IRF821 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 568847 | IRF821 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 450V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 2.5A. | General Electric Solid State |
| 568848 | IRF821 | MOSFET canal N, 450V, 2.5A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568849 | IRF821FI | MOSFET canal N, 450V, 2.0A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568850 | IRF822 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/3,0/450 V/500 V | Fairchild Semiconductor |
| 568851 | IRF822 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 568852 | IRF822 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 500V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 2.0A. | General Electric Solid State |
| 568853 | IRF822 | N-canal puissance mode de transistor MOS à enrichissement, 500V, 2.8A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568854 | IRF822FI | PUISSANCE MOSTRANSISTORS De MODE De PERFECTIONNEMENT Dela MANCHE De N | ST Microelectronics |
| 568855 | IRF822FI | PUISSANCE MOSTRANSISTORS De MODE De PERFECTIONNEMENT Dela MANCHE De N | ST Microelectronics |
| 568856 | IRF822FI | N-canal puissance mode de transistor MOS à enrichissement, 500V, 1.9A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568857 | IRF823 | Porte De Silicium De Perfectionnement-Mode De N-canal TMOS | Motorola |
| 568858 | IRF823 | Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/3,0/450 V/500 V | Fairchild Semiconductor |
| 568859 | IRF823 | TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Samsung Electronic |
| 568860 | IRF823 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 450V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 2.0A. | General Electric Solid State |
| 568861 | IRF823 | MOSFET canal N, 450V, 2.2A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568862 | IRF823FI | MOSFET canal N, 450V, 1.5A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568863 | IRF82FI | PUISSANCE MOSTRANSISTORS De MODE De PERFECTIONNEMENT Dela MANCHE De N | ST Microelectronics |
| 568864 | IRF82FI | PUISSANCE MOSTRANSISTORS De MODE De PERFECTIONNEMENT Dela MANCHE De N | ST Microelectronics |
| 568865 | IRF830 | 4.Ä, 500V, 1,500 Ohms, Transistor MOSFET De Puissance De N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 568866 | IRF830 | N-canal 500V - 1,35 OHMS - 4.Ä - Transistor MOSFET De To-220 POWERMESH | ST Microelectronics |
| 568867 | IRF830 | 500V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 568868 | IRF830 | TRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCE | BayLinear |
| 568869 | IRF830 | N - la MANCHE 500V - 1.35W - 4.Ä - Transistor MOSFET De To-220 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 568870 | IRF830 | Énergie d'avalanche de transistor de PowerMOS évaluée | Philips |
| 568871 | IRF830 | Transistor MOSFET De Puissance De 4.Ä/500V/1,500 Ohms/N-Canal | Intersil |
| 568872 | IRF830 | MODE de PERFECTIONNEMENT De N-canal | TRSYS |
| 568873 | IRF830 | Puissance Field Effect Transistor | ON Semiconductor |
| 568874 | IRF830 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 500V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 4.5A. | General Electric Solid State |
| 568875 | IRF830 | 500 V, le transistor à effet de champ de puissance | TRANSYS Electronics Limited |
| 568876 | IRF830-D | Porte De Silicium De Mode De Perfectionnement De N-Canal De Transistor à effet de champ De Puissance TMOS | ON Semiconductor |
| 568877 | IRF830A | 500V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 568878 | IRF830AL | 500V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet To-262 | International Rectifier |
| 568879 | IRF830APBF | 500V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab | International Rectifier |
| 568880 | IRF830AS | 500V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de D2-Pak | International Rectifier |
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