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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
598801K4E160812D-F2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 2K.Samsung Electronic
598802K4E170411DRAM dynamique de 4M x 4Bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
598803K4E170411D-B4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 5V, 4K cycle de rafraîchissement.Samsung Electronic
598804K4E170411D-F4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 5V, 4K cycle de rafraîchissement.Samsung Electronic
598805K4E170412DRAM dynamique de 4M x 4Bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
598806K4E170412D-B4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K.Samsung Electronic
598807K4E170412D-F4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K.Samsung Electronic
598808K4E170811DRAM dynamique de 2M x 8Bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
598809K4E170811D-B2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 5V, 4K cycle de rafraîchissement.Samsung Electronic
598810K4E170811D-F2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 5V, 4K cycle de rafraîchissement.Samsung Electronic
598811K4E170812DRAM dynamique de 2M x 8Bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
598812K4E170812D-B2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K.Samsung Electronic
598813K4E170812D-F2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K.Samsung Electronic
598814K4E171611DRAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
598815K4E171611D-J1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 5V, 4K cycle de rafraîchissement.Samsung Electronic
598816K4E171611D-T1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 5V, 4K cycle de rafraîchissement.Samsung Electronic
598817K4E171612DRAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
598818K4E171612D-J1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K.Samsung Electronic



598819K4E171612D-T1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K.Samsung Electronic
598820K4E640412DRAM dynamique de 16M x 4bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
598821K4E640412D-JC_L16M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. 3.3V, 4K rafraîchir cycle.Samsung Electronic
598822K4E640412D-TC_L16M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. 3.3V, 4K rafraîchir cycle.Samsung Electronic
598823K4E640812BRAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
598824K4E640812B-JC-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
598825K4E640812B-JC-5RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
598826K4E640812B-JC-6RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
598827K4E640812B-JCL-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
598828K4E640812B-JCL-5RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
598829K4E640812B-JCL-6RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
598830K4E640812B-TC-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
598831K4E640812B-TC-5RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
598832K4E640812B-TC-6RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
598833K4E640812B-TCL-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
598834K4E640812B-TCL-5RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
598835K4E640812B-TCL-6RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
598836K4E640812CRAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
598837K4E640812C-JC-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
598838K4E640812C-JC-5RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
598839K4E640812C-JC-6RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
598840K4E640812C-JCL-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
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