Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
598881 | K4E660412D, K4E640412D | RAM dynamique de 16MB x de 4bit CMOS avec des données prolongées hors de fiche technique | Samsung Electronic |
598882 | K4E660412D-JC_L | 16M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. 3.3V, 8K rafraîchir cycle. | Samsung Electronic |
598883 | K4E660412D-TC_L | 16M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. 3.3V, 8K rafraîchir cycle. | Samsung Electronic |
598884 | K4E660412E, K4E640412E | RAM dynamique de 16M x 4bit CMOS avec des données prolongées hors de fiche technique | Samsung Electronic |
598885 | K4E660412E, K4E640412E | RAM dynamique de 16M x 4bit CMOS avec des données prolongées hors de fiche technique | Samsung Electronic |
598886 | K4E660811D, K4E640811D | RAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées hors de fiche technique | Samsung Electronic |
598887 | K4E660812B | RAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
598888 | K4E660812B-JC-45 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45ns | Samsung Electronic |
598889 | K4E660812B-JC-5 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
598890 | K4E660812B-JC-6 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
598891 | K4E660812B-JCL-45 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45ns | Samsung Electronic |
598892 | K4E660812B-JCL-5 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
598893 | K4E660812B-JCL-6 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
598894 | K4E660812B-TC-45 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45ns | Samsung Electronic |
598895 | K4E660812B-TC-5 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
598896 | K4E660812B-TC-6 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
598897 | K4E660812B-TCL-45 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45ns | Samsung Electronic |
598898 | K4E660812B-TCL-5 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
598899 | K4E660812B-TCL-6 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
598900 | K4E660812C | RAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
598901 | K4E660812C-JC-45 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45ns | Samsung Electronic |
598902 | K4E660812C-JC-5 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
598903 | K4E660812C-JC-6 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
598904 | K4E660812C-JCL-45 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45ns | Samsung Electronic |
598905 | K4E660812C-JCL-5 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
598906 | K4E660812C-JCL-6 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
598907 | K4E660812C-TC-45 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45ns | Samsung Electronic |
598908 | K4E660812C-TC-5 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
598909 | K4E660812C-TC-6 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
598910 | K4E660812C-TCL-45 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45ns | Samsung Electronic |
598911 | K4E660812C-TCL-5 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
598912 | K4E660812C-TCL-6 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
598913 | K4E660812D, K4E640812D | RAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées hors de fiche technique | Samsung Electronic |
598914 | K4E660812D, K4E640812D | RAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées hors de fiche technique | Samsung Electronic |
598915 | K4E660812E | RAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
598916 | K4E660812E, K4E640812E | RAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées hors de fiche technique | Samsung Electronic |
598917 | K4E660812E, K4E640812E | RAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées hors de fiche technique | Samsung Electronic |
598918 | K4E660812E-JC/L | RAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
598919 | K4E660812E-TC/L | RAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
598920 | K4E661611D, K4E641611D | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec des données prolongées hors de fiche technique | Samsung Electronic |
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