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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
598961K4F151612D-J1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 1K.Samsung Electronic
598962K4F151612D-T1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 1K.Samsung Electronic
598963K4F16(7)0811(2)DRAM dynamique de 2M x 8Bit CMOS avec la fiche technique rapide de mode de pageSamsung Electronic
598964K4F160411C-B50RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
598965K4F160411C-B60RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
598966K4F160411C-F50RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
598967K4F160411C-F60RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
598968K4F160411DRAM dynamique de 4M x 4Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
598969K4F160411D-B4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 2K cycle de rafraîchissement.Samsung Electronic
598970K4F160411D-F4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 2K cycle de rafraîchissement.Samsung Electronic
598971K4F160412C-B50RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
598972K4F160412C-B60RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
598973K4F160412C-F50RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
598974K4F160412C-F60RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
598975K4F160412DRAM dynamique de 4M x 4Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
598976K4F160412D-B4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 2K.Samsung Electronic
598977K4F160412D-F4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 2K.Samsung Electronic
598978K4F160811DRAM dynamique de 2M x 8Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
598979K4F160811D-B2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 2K cycle de rafraîchissement.Samsung Electronic



598980K4F160811D-F2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 2K cycle de rafraîchissement.Samsung Electronic
598981K4F160812DRAM dynamique de 2M x 8Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
598982K4F160812D-B2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 2K.Samsung Electronic
598983K4F160812D-F2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 2K.Samsung Electronic
598984K4F170411C-B50RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
598985K4F170411C-B60RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
598986K4F170411C-F50RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
598987K4F170411C-F60RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
598988K4F170411DRAM dynamique de 4M x 4Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
598989K4F170411D-B4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 4K cycle de rafraîchissement.Samsung Electronic
598990K4F170411D-F4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 4K cycle de rafraîchissement.Samsung Electronic
598991K4F170412C-B50RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
598992K4F170412C-B60RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
598993K4F170412C-F50RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
598994K4F170412C-F60RAM dynamique 4M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
598995K4F170412DRAM dynamique de 4M x 4Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
598996K4F170412D-B4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K.Samsung Electronic
598997K4F170412D-F4M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K.Samsung Electronic
598998K4F170811DRAM dynamique de 2M x 8Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
598999K4F170811D-B2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 4K cycle de rafraîchissement.Samsung Electronic
599000K4F170811D-F2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 4K cycle de rafraîchissement.Samsung Electronic
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