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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
599001K4F170812DRAM dynamique de 2M x 8Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
599002K4F170812D-B2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K.Samsung Electronic
599003K4F170812D-F2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K.Samsung Electronic
599004K4F171611DRAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
599005K4F171611D-J1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 4K cycle de rafraîchissement.Samsung Electronic
599006K4F171611D-T1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 4K cycle de rafraîchissement.Samsung Electronic
599007K4F171612DRAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
599008K4F171612D-J1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K.Samsung Electronic
599009K4F171612D-T1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K.Samsung Electronic
599010K4F640412DRAM dynamique de 16M x 4bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
599011K4F640412D-JC_LRAM dynamique 16M x 4 bits CMOS avec mode page rapide. 3.3V, 4K rafraîchir cycle.Samsung Electronic
599012K4F640412D-TC_LRAM dynamique 16M x 4 bits CMOS avec mode page rapide. 3.3V, 4K rafraîchir cycle.Samsung Electronic
599013K4F640811BRAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
599014K4F640811B-JC-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 45nsSamsung Electronic
599015K4F640811B-JC-50RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
599016K4F640811B-JC-60RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
599017K4F640811B-TC-45RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 45nsSamsung Electronic
599018K4F640811B-TC-50RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
599019K4F640811B-TC-60RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic



599020K4F640812DRAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
599021K4F640812D-JC_LRAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide. 3.3V, 4K rafraîchir cycle.Samsung Electronic
599022K4F640812D-TC_LRAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide. 3.3V, 4K rafraîchir cycle.Samsung Electronic
599023K4F641612BRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
599024K4F641612B-LRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
599025K4F641612B-TCRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
599026K4F641612B-TC454M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 45nsSamsung Electronic
599027K4F641612B-TC50RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
599028K4F641612B-TC604M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 60nsSamsung Electronic
599029K4F641612B-TL454M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 45ns, de faible puissanceSamsung Electronic
599030K4F641612B-TL504M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 50 ns, de faible puissanceSamsung Electronic
599031K4F641612B-TL604M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 60ns, de faible puissanceSamsung Electronic
599032K4F641612CRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
599033K4F641612C-LRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
599034K4F641612C-TCRAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
599035K4F641612C-TC454M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 45nsSamsung Electronic
599036K4F641612C-TC504M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 50nsSamsung Electronic
599037K4F641612C-TC604M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 60nsSamsung Electronic
599038K4F641612C-TL454M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 45ns, de faible puissanceSamsung Electronic
599039K4F641612C-TL50RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
599040K4F641612C-TL604M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 60ns, de faible puissanceSamsung Electronic
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