Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
599001 | K4F170812D | RAM dynamique de 2M x 8Bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
599002 | K4F170812D-B | 2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K. | Samsung Electronic |
599003 | K4F170812D-F | 2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K. | Samsung Electronic |
599004 | K4F171611D | RAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
599005 | K4F171611D-J | 1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 4K cycle de rafraîchissement. | Samsung Electronic |
599006 | K4F171611D-T | 1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 5V, 4K cycle de rafraîchissement. | Samsung Electronic |
599007 | K4F171612D | RAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
599008 | K4F171612D-J | 1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K. | Samsung Electronic |
599009 | K4F171612D-T | 1m x 16 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 4K. | Samsung Electronic |
599010 | K4F640412D | RAM dynamique de 16M x 4bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
599011 | K4F640412D-JC_L | RAM dynamique 16M x 4 bits CMOS avec mode page rapide. 3.3V, 4K rafraîchir cycle. | Samsung Electronic |
599012 | K4F640412D-TC_L | RAM dynamique 16M x 4 bits CMOS avec mode page rapide. 3.3V, 4K rafraîchir cycle. | Samsung Electronic |
599013 | K4F640811B | RAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
599014 | K4F640811B-JC-45 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 45ns | Samsung Electronic |
599015 | K4F640811B-JC-50 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
599016 | K4F640811B-JC-60 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
599017 | K4F640811B-TC-45 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 45ns | Samsung Electronic |
599018 | K4F640811B-TC-50 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
599019 | K4F640811B-TC-60 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
599020 | K4F640812D | RAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
599021 | K4F640812D-JC_L | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide. 3.3V, 4K rafraîchir cycle. | Samsung Electronic |
599022 | K4F640812D-TC_L | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide. 3.3V, 4K rafraîchir cycle. | Samsung Electronic |
599023 | K4F641612B | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
599024 | K4F641612B-L | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
599025 | K4F641612B-TC | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
599026 | K4F641612B-TC45 | 4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 45ns | Samsung Electronic |
599027 | K4F641612B-TC50 | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
599028 | K4F641612B-TC60 | 4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 60ns | Samsung Electronic |
599029 | K4F641612B-TL45 | 4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 45ns, de faible puissance | Samsung Electronic |
599030 | K4F641612B-TL50 | 4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 50 ns, de faible puissance | Samsung Electronic |
599031 | K4F641612B-TL60 | 4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 60ns, de faible puissance | Samsung Electronic |
599032 | K4F641612C | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
599033 | K4F641612C-L | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
599034 | K4F641612C-TC | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
599035 | K4F641612C-TC45 | 4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 45ns | Samsung Electronic |
599036 | K4F641612C-TC50 | 4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 50ns | Samsung Electronic |
599037 | K4F641612C-TC60 | 4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 60ns | Samsung Electronic |
599038 | K4F641612C-TL45 | 4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 45ns, de faible puissance | Samsung Electronic |
599039 | K4F641612C-TL50 | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
599040 | K4F641612C-TL60 | 4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 60ns, de faible puissance | Samsung Electronic |
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