Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
599041 | K4F660411D, K4F640411D | RAM dynamique de 16M x 4bit CMOS avec la fiche technique rapide de mode de page | Samsung Electronic |
599042 | K4F660412D | RAM dynamique de 16M x 4bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
599043 | K4F660412D, K4F640412D | RAM dynamique de 16M x 4bit CMOS avec la fiche technique rapide de mode de page | Samsung Electronic |
599044 | K4F660412D, K4F640412D | RAM dynamique de 16M x 4bit CMOS avec la fiche technique rapide de mode de page | Samsung Electronic |
599045 | K4F660412D-JC_L | RAM dynamique 16M x 4 bits CMOS avec mode page rapide. 3.3V, 8K rafraîchir cycle. | Samsung Electronic |
599046 | K4F660412D-TC_L | RAM dynamique 16M x 4 bits CMOS avec mode page rapide. 3.3V, 8K rafraîchir cycle. | Samsung Electronic |
599047 | K4F660412E, K4F640412E | RAM dynamique de 16M x 4bit CMOS avec la fiche technique rapide de mode de page | Samsung Electronic |
599048 | K4F660412E, K4F640412E | RAM dynamique de 16M x 4bit CMOS avec la fiche technique rapide de mode de page | Samsung Electronic |
599049 | K4F660811B | RAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
599050 | K4F660811B-JC-45 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 45ns | Samsung Electronic |
599051 | K4F660811B-JC-50 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
599052 | K4F660811B-JC-60 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
599053 | K4F660811B-TC-45 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 45ns | Samsung Electronic |
599054 | K4F660811B-TC-50 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
599055 | K4F660811B-TC-60 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
599056 | K4F660811D, K4F640811D | RAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec la fiche technique rapide de mode de page | Samsung Electronic |
599057 | K4F660812D | RAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
599058 | K4F660812D, K4F640812D | RAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec la fiche technique rapide de mode de page | Samsung Electronic |
599059 | K4F660812D, K4F640812D | RAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec la fiche technique rapide de mode de page | Samsung Electronic |
599060 | K4F660812D-JC_L | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide. 3.3V, 8K rafraîchir cycle. | Samsung Electronic |
599061 | K4F660812D-TC_L | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec mode page rapide. 3.3V, 8K rafraîchir cycle. | Samsung Electronic |
599062 | K4F660812E, K4F640812E | RAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec la fiche technique rapide de mode de page | Samsung Electronic |
599063 | K4F660812E, K4F640812E | RAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec la fiche technique rapide de mode de page | Samsung Electronic |
599064 | K4F661611D, K4F641611D | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec la fiche technique rapide de mode de page | Samsung Electronic |
599065 | K4F661612B | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
599066 | K4F661612B-L | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
599067 | K4F661612B-TC | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
599068 | K4F661612B-TC45 | 4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 45ns | Samsung Electronic |
599069 | K4F661612B-TC50 | 4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 50ns | Samsung Electronic |
599070 | K4F661612B-TC60 | 4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 60ns | Samsung Electronic |
599071 | K4F661612B-TL45 | 4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 45ns, de faible puissance | Samsung Electronic |
599072 | K4F661612B-TL50 | 4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 50 ns, de faible puissance | Samsung Electronic |
599073 | K4F661612B-TL60 | 4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 60ns, de faible puissance | Samsung Electronic |
599074 | K4F661612C | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
599075 | K4F661612C-L | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
599076 | K4F661612C-TC | RAM dynamique de 4M x 16bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
599077 | K4F661612C-TC45 | 4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 45ns | Samsung Electronic |
599078 | K4F661612C-TC50 | 4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 50ns | Samsung Electronic |
599079 | K4F661612C-TC60 | 4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 60ns | Samsung Electronic |
599080 | K4F661612C-TL45 | 4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 45ns, de faible puissance | Samsung Electronic |
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