| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 889161 | MMBC1623L4 | NPN (TRANSISTOR D'CAmplificateur) | Samsung Electronic |
| 889162 | MMBC1623L4 | Transistor NPN amplificateur de silicium. | Motorola |
| 889163 | MMBC1623L5 | NPN (TRANSISTOR D'CAmplificateur) | Samsung Electronic |
| 889164 | MMBC1623L5 | Transistor NPN amplificateur de silicium. | Motorola |
| 889165 | MMBC1623L6 | Transistor NPN amplificateur de silicium. | Motorola |
| 889166 | MMBC1623L6 | 50 V, 100 mA, le transistor NPN épitaxiale de silicium | Samsung Electronic |
| 889167 | MMBC1623L7 | NPN (TRANSISTOR D'CAmplificateur) | Samsung Electronic |
| 889168 | MMBC1623L7 | Transistor NPN amplificateur de silicium. | Motorola |
| 889169 | MMBC1626L6 | NPN (TRANSISTOR D'CAmplificateur) | Samsung Electronic |
| 889170 | MMBC1653N2 | NPN silicium de transistor à haute tension. | Motorola |
| 889171 | MMBC1653N3 | NPN silicium de transistor à haute tension. | Motorola |
| 889172 | MMBC1653N4 | NPN silicium de transistor à haute tension. | Motorola |
| 889173 | MMBC1654N5 | NPN silicium de transistor à haute tension. | Motorola |
| 889174 | MMBC1654N6 | NPN silicium de transistor à haute tension. | Motorola |
| 889175 | MMBC1654N7 | NPN silicium de transistor à haute tension. | Motorola |
| 889176 | MMBD1000LT1 | Diode De Commutation | Motorola |
| 889177 | MMBD1005LT1 | Diode De Commutation | Motorola |
| 889178 | MMBD101 | Diodes De Barrière De Schottky | Leshan Radio Company |
| 889179 | MMBD101 | Silicon chaud porte-diode mélangeuse UNF (diode Schottky). | Motorola |
| 889180 | MMBD1010LT1 | Diode de commutation | ON Semiconductor |
| 889181 | MMBD1010LT1 | 45 V, à faible tension de saturation | Leshan Radio Company |
| 889182 | MMBD1010LT1-D | Diode De Commutation | ON Semiconductor |
| 889183 | MMBD1010T1 | 45 V, à faible tension de saturation | Leshan Radio Company |
| 889184 | MMBD101L | Diodes De Barrière De Schottky | ON Semiconductor |
| 889185 | MMBD101L | Silicon chaud porte-diode mélangeuse UNF (diode Schottky). | Motorola |
| 889186 | MMBD101LT1 | Diodes De Barrière De Schottky | Leshan Radio Company |
| 889187 | MMBD101LT1 | Diodes De Barrière De Schottky | ON Semiconductor |
| 889188 | MMBD110T1 | Diodes De Barrière De Schottky | Leshan Radio Company |
| 889189 | MMBD110T1 | Diodes De Barrière De Schottky | Motorola |
| 889190 | MMBD110T1-D | Diodes De Barrière De Schottky | ON Semiconductor |
| 889191 | MMBD1201 | Petites Diodes De Signal | Fairchild Semiconductor |
| 889192 | MMBD1201 | DIODES EXTÉRIEURES DE COMMUTATION DE BÂTI | Jinan Gude Electronic Device |
| 889193 | MMBD1201_D87Z | Haute Diode Ultra Rapide De Conductibilité | Fairchild Semiconductor |
| 889194 | MMBD1201_NL | Haute Diode Ultra Rapide De Conductibilité | Fairchild Semiconductor |
| 889195 | MMBD1202 | DIODES EXTÉRIEURES DE COMMUTATION DE BÂTI | Jinan Gude Electronic Device |
| 889196 | MMBD1202 | Conductance élevée Diode ultra rapide | Fairchild Semiconductor |
| 889197 | MMBD1203 | Petites Diodes De Signal | Fairchild Semiconductor |
| 889198 | MMBD1203 | DIODES EXTÉRIEURES DE COMMUTATION DE BÂTI | Jinan Gude Electronic Device |
| 889199 | MMBD1203_D87Z | Haute Diode Ultra Rapide De Conductibilité | Fairchild Semiconductor |
| 889200 | MMBD1203_L99Z | Haute Diode Ultra Rapide De Conductibilité | Fairchild Semiconductor |
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