|   Première page   |   Tous les fabricants   |   Par fonction   |  

Le numéro de la pièce, la description ou le fabricant des:
Saut rapide à:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  


2SA1015 construit près:English Version for this page Deutsche Version für diese Seite Versión española para esta página Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página Russian Version Romanian Version
Regardez toutes les fiches techniques de TOSHIBAApplications tout usage épitaxiales d'amplificateur d'étape de conducteur d'applications d'amplificateur de fréquence sonore de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) Téléchargement 2SA1015 datasheet de
TOSHIBA
pdf
116 kb
Regardez toutes les fiches techniques de Micro ElectronicsTRANSISTOR DE SILICIUM DE PNP Téléchargement 2SA1015 datasheet de
Micro Electronics
pdf
80 kb
Regardez toutes les fiches techniques de USHA India LTDAmplificateur à basse fréquence. Tension collecteur-base: 50V = VCBO. Tension collecteur-émetteur: 50V = VCEO. Tension émetteur-base Vebo = -5V.Collector dissipation: Pc (max) = 400 mW. Téléchargement 2SA1015 datasheet de
USHA India LTD
pdf
104 kb
2SA1013Vue 2SA1015 à notre catalogue2SA1015(L)


© 2017 - www.DatasheetCatalog.com