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2SJ498 construit près: |
450mW plomb Cadre J-FET (transistor à effet de champ), note maximale: 50V Vgdo, -10mA Ig, de -0,6 à -12 mA Idss. | Téléchargement 2SJ498 datasheet de Isahaya Electronics Corporation |
pdf 112 kb |
2SJ496 | Vue 2SJ498 à notre catalogue | 2SJ499 |