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| | Première page | Tous les fabricants | Par fonction | |
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| Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |  |  |
| 2SK1297 construit près: | 
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 | V (DSS): 60V; I (d): 40A; 100W; silicium N-MOS FET canal. Pour la commutation de puissance à grande vitesse | Téléchargement 2SK1297 datasheet de Hitachi Semiconductor |
pdf 58 kb |
| 2SK1296 | Vue 2SK1297 à notre catalogue | 2SK1298 |