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| Première page | Tous les fabricants | Par fonction | |
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Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRF132 construit près: |
N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 100V. Vidange continue de 48A courant. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF133, IRF131, IRF130, |
Téléchargement IRF132 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 166 kb |
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Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/20/60-100 V D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF533, IRF532, IRF531, IRF130-133, |
Téléchargement IRF132 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 185 kb |
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12A et 14A, 80V et 100V, 0,16 et 0,23 Ohm à canal N MOSFET de puissance | Téléchargement IRF132 datasheet de Intersil |
pdf 62 kb |
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TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Téléchargement IRF132 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 216 kb |
IRF1312STRR | Vue IRF132 à notre catalogue | IRF133 |