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IRF231 construit près: |
TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF233, IRF232, IRF230, |
Téléchargement IRF231 datasheet de Samsung Electronic |
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Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/1À/150-200 V D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF633, IRF632, IRF631, IRF230-233, |
Téléchargement IRF231 datasheet de Fairchild Semiconductor |
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8.0A et 9.0A/150V et 200V/transistors MOSFET de puissance 0,4 et 0,6 ohms/N-Canal | Téléchargement IRF231 datasheet de Intersil |
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N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 150V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 9,0 A. | Téléchargement IRF231 datasheet de General Electric Solid State |
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IRF230-233 | Vue IRF231 à notre catalogue | IRF232 |