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| Première page | Tous les fabricants | Par fonction | |
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Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRF241 construit près: |
16A et 18A, 200V et 150V, 0,18 et 0,22 Ohm à canal N MOSFET de puissance D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF243, IRF242, |
Téléchargement IRF241 datasheet de Intersil |
pdf 65 kb |
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Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/1Å/150-200V D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF240-243, IRF240, IRF641, IRF642, IRF643, |
Téléchargement IRF241 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 145 kb |
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Transistor MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Téléchargement IRF241 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 216 kb |
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N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 150V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 18A. | Téléchargement IRF241 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 165 kb |
IRF240SMD | Vue IRF241 à notre catalogue | IRF242 |