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| Première page | Tous les fabricants | Par fonction | |
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Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRF253 construit près: |
25A et 30A, 150V et 200V, 0,085 et 0,120 Ohm à canal N MOSFET de puissance D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF252, IRF251, |
Téléchargement IRF253 datasheet de Intersil |
pdf 63 kb |
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TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF250, |
Téléchargement IRF253 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 220 kb |
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N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 150V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 25A. | Téléchargement IRF253 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 200 kb |
IRF252 | Vue IRF253 à notre catalogue | IRF2804 |