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| Première page | Tous les fabricants | Par fonction | |
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Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRF332 construit près: |
N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 400V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 4.5A. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF330, IRF333, IRF331, |
Téléchargement IRF332 datasheet de General Electric Solid State |
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TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Téléchargement IRF332 datasheet de Samsung Electronic |
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4.5A et 5.5A, 350V et 400V, 1,0 et 1,5 Ohm à canal N MOSFET de puissance | Téléchargement IRF332 datasheet de Intersil |
pdf 63 kb |
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Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/5.Ä/350 V/400v D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF731, IRF733, IRF330-333, IRF732, |
Téléchargement IRF332 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 182 kb |
IRF3315STRR | Vue IRF332 à notre catalogue | IRF333 |