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| Première page | Tous les fabricants | Par fonction | |
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Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRF352 construit près: |
N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 400V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 13A. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF350, IRF351, IRF353, |
Téléchargement IRF352 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 197 kb |
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Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/1Ä/350V/400v D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF350-353, |
Téléchargement IRF352 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 122 kb |
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TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Téléchargement IRF352 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 217 kb |
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13.0A et 15.0A, 350 et 400V, 0,300 et 0,400 ohm, Avalanche nominale *, N-Channel MOSFET de puissance FN1826.2 | Téléchargement IRF352 datasheet de Intersil |
pdf 65 kb |
IRF3515STRR | Vue IRF352 à notre catalogue | IRF353 |