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| Première page | Tous les fabricants | Par fonction | |
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Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRF422 construit près: |
N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 500V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 2.0A. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF420, IRF423, IRF421, |
Téléchargement IRF422 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 167 kb |
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TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Téléchargement IRF422 datasheet de Samsung Electronic |
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2.À et 2.Ä/450V et 500V/transistors MOSFET de puissance 3,0 et 4,0 ohms/N-Canal | Téléchargement IRF422 datasheet de Intersil |
pdf 74 kb |
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Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/3,0/450 V/500 V D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF823, IRF822, IRF420-423, IRF821, |
Téléchargement IRF422 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 162 kb |
IRF421 | Vue IRF422 à notre catalogue | IRF423 |