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Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRF430 construit près: |
N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 500V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 4.5A. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF431, IRF433, IRF432, |
Téléchargement IRF430 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 167 kb |
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Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/4,5/450V/500v D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF833, IRF831, IRF832, IRF430-433, |
Téléchargement IRF430 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 146 kb |
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TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Téléchargement IRF430 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 216 kb |
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Transistor MOSFET De Puissance De 4.Ä/500V/1,500 Ohms/N-Canal | Téléchargement IRF430 datasheet de Intersil |
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500V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20âa D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: JANTX2N6762, JANTXV2N6762, 2N6762, |
Téléchargement IRF430 datasheet de International Rectifier |
pdf 151 kb |
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Transistor MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Téléchargement IRF430 datasheet de SemeLAB |
pdf 27 kb |
IRF423 | Vue IRF430 à notre catalogue | IRF430-433 |