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| Première page | Tous les fabricants | Par fonction | |
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Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRF433 construit près: |
4.0A et 4.5A, 450V et 500V, 1,5 et 2,0 Ohm à canal N MOSFET de puissance D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF431, IRF432, |
Téléchargement IRF433 datasheet de Intersil |
pdf 62 kb |
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TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF430, |
Téléchargement IRF433 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 216 kb |
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Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/4,5/450V/500v D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF833, IRF831, IRF832, IRF430-433, |
Téléchargement IRF433 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 146 kb |
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N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 450V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 4.0A. | Téléchargement IRF433 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 167 kb |
IRF432 | Vue IRF433 à notre catalogue | IRF440 |