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Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRF513 construit près: |
N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Égoutter-sourge tension 60V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 3.5A. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF510, IRF511, IRF512, |
Téléchargement IRF513 datasheet de General Electric Solid State |
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FETS Verticaux De Puissance Du Perfectionnement-Mode DMOS De N-Canal | Téléchargement IRF513 datasheet de Supertex Inc |
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Puissance MOSFET canal N, 80V, 4.9A | Téléchargement IRF513 datasheet de Harris Semiconductor |
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Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/5,5/60-100V D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF510-513, |
Téléchargement IRF513 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 156 kb |
IRF512 | Vue IRF513 à notre catalogue | IRF520 |