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| Première page | Tous les fabricants | Par fonction | |
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Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRF531 construit près: |
TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP de PUISSANCE de la PORTE de SILICIUM De Perfectionnement-mode De N-canal TMOS D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF530, IRF532, IRF533, |
Téléchargement IRF531 datasheet de Motorola |
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N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Égoutter-sourge tension 60V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 14A. | Téléchargement IRF531 datasheet de General Electric Solid State |
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FETS Verticaux De Puissance Du Perfectionnement-Mode DMOS De N-Canal D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: R531, |
Téléchargement IRF531 datasheet de Supertex Inc |
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TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Téléchargement IRF531 datasheet de Samsung Electronic |
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Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/20/60-100 V D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF130, IRF132, IRF131, IRF133, IRF130-133, |
Téléchargement IRF531 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 185 kb |
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MOSFET canal N, 80V, 14A D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF531F1, IRF532F1, IRF533F1, IRF530F1, |
Téléchargement IRF531 datasheet de SGS Thomson Microelectronics |
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IRF530STRR | Vue IRF531 à notre catalogue | IRF531F1 |