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IRF612 construit près: |
N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 200V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 2.0A. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF610, IRF611, IRF613, |
Téléchargement IRF612 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 170 kb |
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Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/3.Ä/150-200V D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF610-613, |
Téléchargement IRF612 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 153 kb |
IRF611 | Vue IRF612 à notre catalogue | IRF613 |