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Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRF620 construit près: |
N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 200V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 5.0A. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF621, IRF622, IRF623, |
Téléchargement IRF620 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 166 kb |
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VIEUX PRODUCT:not APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF620FI, |
Téléchargement IRF620 datasheet de ST Microelectronics |
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200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF620PBF, |
Téléchargement IRF620 datasheet de International Rectifier |
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Transistor MOSFET De Puissance De 5.0A/200V/0,800 Ohms/N-Canal | Téléchargement IRF620 datasheet de Intersil |
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5.0A, 200V, 0,800 Ohms, Transistor MOSFET De Puissance De N-Canal | Téléchargement IRF620 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 121 kb |
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N - TRANSISTORS De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | Téléchargement IRF620 datasheet de SGS Thomson Microelectronics |
pdf 189 kb |
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TRANSISTORS de MOS de PUISSANCE de MODE de PERFECTIONNEMENT De N-canal | Téléchargement IRF620 datasheet de SGS Thomson Microelectronics |
pdf 189 kb |
IRF6156 | Vue IRF620 à notre catalogue | IRF620B |