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Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRF622 construit près: |
N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 200V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 4.0A. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF621, IRF623, IRF620, |
Téléchargement IRF622 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 166 kb |
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Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/7A/150-200V D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF220, IRF222, IRF223, IRF220-223, IRF221, |
Téléchargement IRF622 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 170 kb |
IRF6218S | Vue IRF622 à notre catalogue | IRF623 |