|   Première page   |   Tous les fabricants   |   Par fonction   |  

Le numéro de la pièce, la description ou le fabricant des:
Saut rapide à:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



IRF623 construit près:English Version for this page Deutsche Version für diese Seite Versión española para esta página Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página Russian Version Romanian Version
Regardez toutes les fiches techniques de Fairchild SemiconductorTransistors MOSFET De Puissance De N-Canal/7A/150-200V

D'autres avec le même dossier pour le fiche technique:
IRF220, IRF222, IRF622, IRF621, IRF223,
Téléchargement IRF623 datasheet de
Fairchild Semiconductor
pdf
170 kb
Regardez toutes les fiches techniques de General Electric Solid StateN-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 150V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 4.0A.

D'autres avec le même dossier pour le fiche technique:
IRF620,
Téléchargement IRF623 datasheet de
General Electric Solid State
pdf
166 kb
IRF622Vue IRF623 à notre catalogueIRF624



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com