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IRF632 construit près: |
Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/1À/150-200 V D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF633, IRF631, IRF230, IRF230-233, IRF231, |
Téléchargement IRF632 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 182 kb |
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N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 200V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 8.0A. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF630, |
Téléchargement IRF632 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 167 kb |
IRF631 | Vue IRF632 à notre catalogue | IRF633 |