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Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRF642 construit près: |
N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 150V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 16A. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF641, |
Téléchargement IRF642 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 163 kb |
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Transistors MOSFET De Puissance De N-Canal/1Å/150-200V D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF241, IRF240-243, IRF240, IRF643, IRF242, |
Téléchargement IRF642 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 145 kb |
IRF641 | Vue IRF642 à notre catalogue | IRF643 |