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| Première page | Tous les fabricants | Par fonction | |
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Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRF720 construit près: |
Transistor MOSFET De Puissance De 3.Á/400V/1,800 Ohms/N-Canal | Téléchargement IRF720 datasheet de Intersil |
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MOSFET canal N, 400V, 3.3A D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF721F1, IRF722, IRF721, IRF722F1, IRF723, |
Téléchargement IRF720 datasheet de SGS Thomson Microelectronics |
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400V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de To-220ab D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF720PBF, |
Téléchargement IRF720 datasheet de International Rectifier |
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N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 400V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 3.0A. | Téléchargement IRF720 datasheet de General Electric Solid State |
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TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Téléchargement IRF720 datasheet de Samsung Electronic |
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3.Á, 400V, 1,800 Ohms, Transistor MOSFET De Puissance De N-Canal | Téléchargement IRF720 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 96 kb |
IRF713 | Vue IRF720 à notre catalogue | IRF7201 |