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| Première page | Tous les fabricants | Par fonction | |
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Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRF821 construit près: |
MOSFET canal N, 450V, 2.5A D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF821FI, IRF823, IRF823FI, |
Téléchargement IRF821 datasheet de SGS Thomson Microelectronics |
pdf 346 kb |
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Porte De Silicium De Perfectionnement-Mode De N-canal TMOS D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF820, |
Téléchargement IRF821 datasheet de Motorola |
pdf 146 kb |
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N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 450V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 2.5A. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF822, |
Téléchargement IRF821 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 169 kb |
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Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/3,0/450 V/500 V D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF420, IRF423, IRF422, IRF421, IRF420-423, |
Téléchargement IRF821 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 162 kb |
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TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Téléchargement IRF821 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 327 kb |
IRF820STRR | Vue IRF821 à notre catalogue | IRF821FI |