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IRF822 construit près: |
N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 500V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 2.0A. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF820, IRF823, IRF821, |
Téléchargement IRF822 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 169 kb |
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Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/3,0/450 V/500 V D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF420, IRF423, IRF422, IRF421, IRF420-423, |
Téléchargement IRF822 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 162 kb |
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TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Téléchargement IRF822 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 327 kb |
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N-canal puissance mode de transistor MOS à enrichissement, 500V, 2.8A D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF820FI, IRF822FI, |
Téléchargement IRF822 datasheet de SGS Thomson Microelectronics |
pdf 175 kb |
IRF821FI | Vue IRF822 à notre catalogue | IRF822FI |