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Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRF832 construit près: |
N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 500V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 4.0A. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF831, IRF833, IRF830, |
Téléchargement IRF832 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 169 kb |
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Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/4,5/450V/500v D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF433, IRF430, IRF430-433, IRF431, IRF432, |
Téléchargement IRF832 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 146 kb |
IRF831 | Vue IRF832 à notre catalogue | IRF833 |